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本文主要研究了素特征域上与Kac-Moody李代数L=sl(l+1,K)相应的仿射李代数L.通过L的根空间分解及拆分,证明了L是限制李代数及其中心元素平凡作用在L的某个限制模上. 相似文献
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高温固相法制备了(Ga1- x Alx )2 O3∶Cr3+(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析表明Al3+含量增加后,物相依然保持β-Ga2 O3的相。此外随着Al离子含量的逐渐增加,高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2 O3晶格中。激发光谱中258,300,410和550 nm左右的峰位分别对应基质Ga2 O3的带与带的吸收跃迁、电荷迁移带跃迁、Cr3+的4 A2→4 T1以及4 A2→4 T2跃迁。随着Al离子掺杂量的增加,激发光谱峰位都呈现出不同程度的蓝移现象,这分别是由于基质的带隙能量、C r3+与配体之间的电负性以及晶场强度增大所导致的。在发射光谱中,随着Al3+替代Ga3+,Cr3+的发光由宽带发射变为窄带发射,这是由于Al3+的掺入改变了Cr3+周围的晶场,从而Cr3+的红光发射由原来的4 T2→4 A2变为2 E→4 A2跃迁发射。Al离子掺杂改善了样品的长余辉发光特性,并且Al离子含量达到0.5时显示出较长时间的肉眼可见的近红外余辉发射。热释发光曲线显示材料中具有合适的陷阱能级,这也是材料产生长余辉发光的原因。 相似文献
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射频磁控溅射制备纳米晶Ni-Mo催化阴极及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶Ni-Mo合金薄膜, 并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜. 采用XRD, EDS, SEM和AFM对膜的晶型、 成分、 表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征. 用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测试. 结果表明, 在较高的工作压强、 较低的衬底温度和较远的靶距下沉积的膜有较好的电化学性能, 晶粒的细化以及膜中Mo含量的增加有助于析氢催化活性的提高, 在电流密度为100 mA/cm2时析氢过电势为177.7 mV, 电化学脱附是膜上析氢反应的控制步骤. 相似文献
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利用毛细管胶束电动色谱在线高盐堆积技术研究NaNO2-H2O2-氯高铁原卟啉(hemin)-酪氨酸(tyro-sine)体系中3-硝基酪氨酸(3-NT)的测定,建立了一种新的测定生物样品中微量3-NT的方法。最佳分离条件为:含SDS(30mmol/L)的Na2B4O7(36mmol/L)缓冲液(pH9.3),进样压力为3.4kPa,进样时间为30s,毛细管柱温度25℃,分离电压20kV,样品中NaCl100mmol/L。在此条件下,3-NT检出限为0.1μmol/L(S/N=3);线性范围为0.78~50μmol/L;线性相关系数为0.9953。保留时间日内与日间的RSD(n=5)分别为1.6%和2.8%,加标回收率为95.2%~103.1%;样品不同浓度添加水平的日内和日间的RSD(n=5)均小于3%。本方法简单、快速、灵敏度高,为直接分析生物样品中的微量3-NT提供了方法。 相似文献
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热氧化生长的SiO\-2 薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn 结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区
关键词:
热氧化
随机织构
位错
太阳电池 相似文献
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研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝).采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命,发现磷-铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上,其次是磷吸杂,铝吸杂再次之.采用吸杂后的多晶硅片制备了1cm×1cm的太阳电池,与相同条件下未经吸杂制备的电池相比,发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性,其中磷-铝联合吸杂提高电池效率最大,达40%以上,最差为铝吸杂,只有15%左右的提高,这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致.实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,减少了载流子的复合中心,从而提高了有效少数载流子的寿命;而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率. 相似文献
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采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+(x=0,0.2,0.6,0.8,1.0)配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。X射线衍射(XRD)分析表明样品物相均为面心立方结构。光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E—4A2跃迁所致,Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递。余辉衰减曲线与热释光谱分析表明,不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长。 相似文献