液晶玻盒结构中PI层摩擦定向的实现

液晶玻璃表面涂敷一层有机高分子薄膜,这层薄膜是液晶玻盒结构的一个重要组成部分,行业内称之为液晶玻盒定向层（PI层）。这层薄膜经过绒布类材料高速摩擦来实现定向,使玻盒内的液晶分子可以按照摩擦所产生的沟槽方向来实现想要达到的均匀有序排列。文章主要介绍了摩擦工艺实现的方法以及摩擦胶辊与摩擦布的设计与选用。     

咳嗽变异性哮喘患儿白三烯水平与白三烯受体拮抗剂疗效的相关研究

目的探讨不同白三烯（LT）水平的咳嗽变异性哮喘（CVA）患儿接受白三烯受体拮抗剂（LTRA）治疗后体内LT水平变化与临床疗效的关系。方法以本地300例同年龄儿童所测定的尿LTE4值（25.17±14.26）ng/L作为基础对照,将使用LTRA孟鲁司特治疗的67例CVA患儿按LTE4水平是否高于基础对照水平的2SD,分成LTRA-高（H）组25例和LTRA-低（L）组42例,治疗1个月后观察尿LTE4水平变化和临床疗效;采用相同方法将使用吸入糖皮质激素（ICS）氟替卡松治疗的60例患儿分成ICS-H组20例和ICS-L组40例进行对照。结果所有CVA患儿尿LTE4水平与基础对照相比均有统计学差异（均P＜0.05）;在接受2种不同方法治疗1个月后,LTRA-H组、LTRA-L组和ICS-H组患儿尿LTE4水平均有明显下降（均P＜0.05）,但ICS-L组无明显变化（P＞0.05）。LTRA组与ICS组总体疗效相当（P＞0.05）;LTRA-H组疗效优于LTRA-L组（P＜0.05）,LTRA-L组与ICS-H组、ICS-L组疗效均无统计学差异（均P＞0.05）。结论 CVA患儿采用LTRA和ICS治疗总体疗效相当;体内LT水平与LTRA临床疗效密切相关,LT水平高者疗效优于低者;尿LTE4检测可以作为临床选用LTRA的指标。     

LTCC滤波器综述及制造工艺研究

首先简述了目前LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷技术)滤波器的版图结构及其优劣,重点阐述了一种结构紧凑的600MHz低通滤波器的设计,及在这种滤波器制造过程中遇到的工艺难题及解决办法。该滤波器采用介电常数为7.8、损耗角正切为0.006的微波陶瓷材料,并用场路结合的方法完成其设计,整个器件的尺寸为5.1mm×3.3mm×1.6mm。运用矢量网络分析仪对加工出来的样品进行测试,通过测试数据可以看到,通带最大插入损耗为1.8dB,满足设计指标的要求。该滤波器尺寸小且具有良好的频率响应曲线,在小型化微波通信系统及雷达系统中有着广阔的应用前景。     

电解分离-ICP-AES测定铜-银-磷钎料中的磷

采用电解法分离铜后,电感耦合等离子体-原子发射光谱法直接测定了铜-银-磷钎料中磷的含量。实验表明,在1.0moI·L^-1硝酸电解液中可以使铜基本电离完全,对磷的测定不产生干扰。在最佳的测定条件下,该法用于铜-银-磷钎料中磷的测定,回收率在98.3%—102.4%之间,相对标准偏差2.28%。     

高温激波管化学非平衡流动数值模拟研究

为了预测氢氧定容燃烧驱动的高温激波管性能,需要准确分析激波管非定常化学非平衡流动过程.本文在破膜前的驱动段定容燃烧以及破膜后的化学非平衡流动数值模拟中,引入双时间步长方法,发展高温激波管化学非平衡流动数值模拟方法,该方法在时间上具有二阶精度.计算结果与目前存在的激波管流动解析解以及零维化学反应系统的数值解进行了比较,吻合较好.对于典型高温激波管状态,采用有限体积方法离散准一维流动Euler控制方程,并通过将流动过程和化学反应动力学过程耦合求解,获得了激波管内部的化学非平衡流动特征.     

片状碘化铋铺助液相法合成硫化镉纳米线的取向行为和场发射特性

利用低温液相法可控合成有序硫化镉纳米结构.用片状碘化铋作为可分解的二维模板实现硫化镉纳米线的生长调控.采用不同尺寸的片状碘化铋并控制反应温度,成功制备出硫化镉纳米线的平面方形网状结构、无序交织网状结构和有序阵列结构.电子显微分析、X射线衍射和光致发光分析显示,这些纳米结构晶化程度良好.场发射测试表明,硫化镉纳米线由横向排列向竖直排列的可控变化使得硫化镉纳米线平面方形网状结构、无序交织网状结构和有序阵列结构的场发射性能依次增强.     

自由活塞压缩管ALE方法数值模拟

当前国际上实现高焓气体流动的实验手段之一是自由活塞驱动类脉冲设备,包括自由活塞激波风洞和自由活塞膨胀管.采用自由活塞压缩管作为激波风洞和膨胀管的驱动段时,其驱动能力在很大程度上决定了该类设备的性能.本文采用计算流体力学中任意拉格朗日——欧拉方法(arbitrary Lagrangian Eulerian)数值模拟了压缩管内部的自由活塞运动和气体流动特征.采用移动网格技术来适应活塞运动边界,耦合求解网格运动和气体流动过程,并通过双时间步长方法进行流体运动的时间积分.为了满足几何守恒律(geometric conservation law),对移动网格的法向矢量和表面面积计算进行了修正.不同时刻的活塞位置试验测量结果及欧拉方法预测结果,以及基于简单波理论获得的运动活塞底部气体压力、活塞速度与活塞位置都与当前的ALE方法十分一致.该工作为下一步数值模拟自由活塞激波风洞和自由活塞膨胀管中包括压缩管、激波管和喷管等不同部位的耦合流动提供了基础.      

高焓膨胀管中压缩管最佳长度设计分析

中国空气动力研究与发展中心超高速所即将建成的高焓喷胀管采用自由活塞驱动,为了能够使该设备有效运行试验时间达到最长,需要对设备中的压缩管长度进行优化。针对压缩管中的自由活塞运动,本文通过数值求解单一组分和混合驱动气体条件下的活塞运动准一维常微分控制方程组,分析了不同试验设计参数和不同驱动气体介质对压缩管定压驱动时间的影响。采用数值解结合脊线(局部极值曲线)理论获得了定压驱动时间局部极值曲面,基于压缩管四种摩尔比例驱动气体(100%H2,85%H2+15%N2,100%He,85%He+15%Ar)和三组压缩比(λ=60,100,140)下的极值曲面,研究发现,定压驱动时间脊线高度随着压缩管的有效长度(初始活塞头部到压缩管末端膜片的距离)和内径之比L/D增加而增加。本文研究最终获得了给定参数条件下满足最长定压驱动时间要求的最佳压缩管长度。     

氧化镁陶瓷的烧结工艺研究

以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷.TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750 ℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm.MgO陶瓷最佳烧结温度为1500 ℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好.随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200) 晶面择优生长的趋势.     

大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发

为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄,介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除,然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤,最终实现了1280×1024元(25■m)大尺寸锑化铟混成芯片背减薄(材料表面的半峰宽值约为8.20～11.90 arcsec)。与传统磨削工艺相比,该工艺对尺寸大、面型差的半导体芯片兼容性强,解决了大尺寸芯片在传统磨削工艺中因面型带来的裂片率高、减薄厚度不均匀的问题。