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利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。 相似文献
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在分析无线通信环境中脉冲干扰特征及其对无线通信影响的基础上,提出利用修正周期图功率谱密度和NP定理对周期性脉冲干扰进行干扰检测的策略与脉冲周期及占空比等参数测量的方法。在给定虚警率指标下,推导并计算了周期性脉冲干扰检测的概率,并通过实验仿真验证了采用本文所提策略检测周期性脉冲干扰的有效性和准确性。 相似文献
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FTIR法研究自由电子激光作用下邻氨基苯甲酸类分子的结构变化 总被引:1,自引:0,他引:1
自由电子激光(FEL)可以输出中红外激光(波长6-16μm,波数1660-630cm^-1),由于FEL提供的能量与分子的振动能级相当,所以可用于探讨与物质相互作用时的能量转换机理;其次FEL的波长在一定范围内能够连续调节,可以用来研究化学键的变化,即FEL诱导的分子结构变化,基于红外和拉曼光谱是分子结构变化的灵敏探针,我们比较了FEL照射前后苯甲酸及邻氨基苯甲酸的FTIR变化,发现N-H和C=O的伸缩振动峰经FEL照射后发生了位移,表明FEL诱导有机分子引发COOH和NH2之间氢键的重排,初步认为这是由于分子中存在稳态和亚稳态结构,进一步的解释将涉及到多光子传递以及非线性光学。 相似文献
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在强光一号脉冲加速器上进行了国内首次的实验室软X光辐射三种材料的喷射冲量研究。结果表明,在能量为(0.2~0.33)keV、平均脉宽为39ns左右的X光辐射下,对灰漆、白漆和硬铝,在能注量分别为(92~152)J/cm2、(115~136)J/cm2和(163~192)J/cm2时,它们的冲量耦合系数分别为(0.61~0.80)Pa·s/(J·cm-2)、(0.58~0.97)Pa·s/(J·cm-2)和(0.61~0.84)Pa·s/(J·cm-2)。 相似文献