MnxZn1-xFe2O4制备工艺及纳米晶粒度研究

本文概述用溶胶-凝胶法制备锰锌铁氧体系列粉末的工艺;通过凝胶的差热分析实验,掌握制备锰锌铁氧体系列粉末适当的煅烧温度区间;列出MnxZn1-xFe2O4(x=0.25、0.5、0.75)样品的XRD衍射图;用不同的煅烧温度和不同的煅烧时间来处理x=0.25的样品,得到的数据通过多项式拟合,求出晶粒度与煅烧温度(D-T)曲线方程和晶粒度与煅烧时间(D-t)的曲线方程;分别讨论晶粒度随二者变化的原因.     

Abnormal variation of magnetic properties with Ce content in(PrNdCe)_2Fe_(14)B sintered magnets prepared by dual alloy method

Resource-saving(PrNdCe)_2Fe_(14)B sintered magnets with nominal composition(PrNd)_(15-x)Ce_xFe_(77)B_8(x=0–10)were prepared using a dual alloy method by mixing(PrNd)_5Ce_(10)Fe_(77)B_8 with(PrNd)_(15)Fe_(77)B_8 powders. For Ce atomic percent of 1% and 2%, coercivity decreases dramatically. With further increase of Ce atomic percent, the coercivity increases, peaks at 6.38 kOe in(PrNd)_(11)Ce_4Fe_(77)B_8, and then declines gradually. The abnormal dependence of coercivity is likely related to the inhomogeneity of rare earth chemical composition in the intergranular phase, where Pr Nd concentration is strongly dependent on the additive amount of(PrNd)_5Ce_(10)Fe_(77)B_8 powders. In addition, for Ce atomic percent of 8%,7%, and 6% the coercivity is higher than that of magnets prepared by the conventional method, which shows the advantage of the dual alloy method in preparing high abundant rare earth magnets.     

一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构，具有集成度高，噪声性能良好的优点。该设计基于0．8μm BiCMOS工艺，实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器（VCO）。电路采用3V电压供电，频率范围399．8～465．1MHz，偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc／Hz。     

低能O~(5+)离子穿过H_2靶后的电荷态分布

实验测量了0.75 MeV的O5+离子穿过一定长度不同原子数密度H2靶后的电荷态分布;理论模拟了出射离子的平均电荷态以及达到平衡后的平均电荷态,得到了与实验吻合较好的结果。研究表明,随着靶原子数密度的增大,离子在碰撞过程中俘获电子的几率随之增加,平均电荷态降低;当靶原子数密度达到或超过1014 cm-3,入射离子俘获电子和被碰撞电离的两个作用过程达到平衡,出射离子的平衡平均电荷态约为1.2。     

在多处理器(MVP)上并行实现低码率多媒体通信终端

介绍了国际电信联盟制定的H．324协议和美国德州仪器公司的高性能多处理器芯片TMS320C80的基本特点，深入分析了在MVP上并行实现H．324协议的关键技术。     

一种低噪声433MHzLC压控振荡器设计

本文设计了一种Colpitts型LC振荡器，采用差分结构，具有集成度高、噪声性能良好的优点。该设计基于0．8um BiCMOS工艺，实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO)。电路采用3V电压供电，频率范围399．8MHz-465．1MHz，偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-128．2dBc／Hz。     

表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响

采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。     

高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)

用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),并且该器件输入电阻和输出电阻较低。同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件。     

Monte Carlo study of the magnetic properties of spin liquid compound NiGa_2S_4

The magnetic properties of two-dimensional antiferromagnet NiGa2S4have attracted much attention and yet some problems are far from being solved. We investigate the magnetic properties of NiGa2S4by Monte Carlo simulations. A new spin-interacting model is proposed to describe the system, and the specific heat together with the doping effect of nonmagnetic impurity is studied by simulations. The double peaks of the specific heat as well as other behaviors are well reproduced. We also compare our results with those of other models, and the underlying physics is discussed.     

基于数模混合仿真的PLL系统设计

介绍了数模混合信号仿真的设计流程，说明了一种在混合设计的各个层次上对系统进行仿真验证的自上而下的设计方法。在PLL（Phase-Locked Loop）系统设计中，给出了VCO的数学模型和Verilog-A行为级模型．实现了系统行为级模型和晶体管级电路的设计和仿真，并对结果进行了比较。这种设计方法已应用于一种电荷泵锁相环电路设计中，验证了这种设计方法的可行性和有效性。