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两种甲醇水蒸气重整制氢催化剂的研究 总被引:1,自引:3,他引:1
对采用共沉淀法制备的CuZnAlO类铜系催化剂和采用水滑石类层柱材料(LDHs)前驱体制备的催化剂在甲醇水蒸气重整制氢反应中的性能进行了研究。对共沉淀法制备的CuZnAlO类铜系催化剂考察了ZrO2助剂的加入对催化剂反应性能的影响,发现Zr的质量分数为10%的催化剂显著提高CuZnAlO催化剂的反应性能。该催化剂的最佳反应条件:0.1 MPa、250 ℃、H2O/MeOH摩尔比1.0~1.3、3.56 h-1。在此反应条件下进行了COPZr2催化剂150 h稳定性实验。结果表明,该催化剂具有很好的反应稳定性。甲醇转化率和氢产率分别约为88%和83%,产物湿基组成中H2和CO的质量分数分别为>63%和0.20%~0.31%。对LDHs前驱体制备的催化剂,进行了70 h反应稳定性实验,结果表明,催化剂虽具有较高的起始活性,但随反应进行,活性有所下降,30?h后基本保持稳定,甲醇转化率和产氢率分别为73%和66%,产物湿基组成中H2和CO的质量分数分别为>55%和0.07%~0.08%。该类催化剂的反应稳定性虽较差,但却可以显著降低产物湿基组成中CO的摩尔分数。对LDHs前驱体制备的催化剂进行XRD和SEM表征结果表明,ZrO2的加入使催化剂中CuO晶粒分散更为均匀,颗粒更细。 相似文献
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Motivated by recent experiments, we investigate structural, electronic, and magnetic properties of tetragonal FeSe with Fe vacancies using the state-of-the-art first-principles method. We show that Fe vacancies tend to stay in the same one of the two sublattices and thus induce ferromagnetism in the ground-state phase. Our calculated net moment is in good agreement with the experimental data available. Therefore, the ferromagnetism observed in tetragonal FeSe thin films is explained. It could be made controllable soon for spintronic applications. 相似文献
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以培养6周左右的拟南芥为材料,采用UV-B辐射(剂量1 KJ/m2/d)和He-Ne激光器(波长632.8 nm,输出功率5 mW·mm2,辐照时间60 s)对材料进行处理,分成CK(没有经过UV-B或激光辐照)组、B(UV-B辐射)组、BL(UV-B和激光复合处理)组和L(激光辐照)组4个不同处理组.结果表明:增强的UV-B辐射拟南芥幼苗导致MDA(Malondialdehyde)、超氧阴离子含量升高,GSH(Glutathione)含量降低,PAL(phenylalanine ammomia-lyase)、CAT(catalase)和APX(ascorbate peroxidase)活性升高,SOD(supemxide dismutas)活性降低.单独He-Ne激光处理使MDA、超氧阴离子含量降低,GSH的含量升高,SOD、APX、CAT的活性升高,PAL的活性降低.UV-B辐射后再用He-Ne激光进行后处理,发现与单独UV-B辐照处理相比,MDA、超氧阴离子含量降低,GSH含量升高,SOD、APX、CAT的活性升高了,PAL的活性降低了.因此激光在一定程度上提高了拟南芥叶片抗氧化能力,在此基础上讨论了其可能的形成机理. 相似文献
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采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀。观察发现,对于同一类型缺陷,低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1~2倍,证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低。通过显微镜观察腐蚀后的衬底,对六边形的螺位错(TSD)、近圆形的刃位错(TED)和贝壳形的基平面位错(BPD)腐蚀坑进行了分析。对比了TSD与微管腐蚀坑形貌的区别,虽然两种缺陷腐蚀坑都具有六边形形貌,但微管腐蚀坑尺寸比TSD腐蚀坑大1.4倍左右。通过对位错密度的统计,发现目前4H-SiC衬底中主要的位错为TED和BPD,而TSD密度相对较低,仅为420 cm-2。 相似文献
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一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点。该设计基于0.8μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO)。电路采用3V电压供电,频率范围399.8~465.1MHz,偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc/Hz。 相似文献