高效液相色谱-串联质谱法检测生物样品中6种雌激素

建立了雌酮、雌二醇、雌三醇、己烯雌酚、己烷雌酚和炔雌醇6种雌激素在生物体中的HPLC-MS/MS分析方法.采用加速溶剂萃取、固相萃取技术进行提取、富集及净化,有效降低了基质的干扰.以甲醇-0.1％氨水溶液为流动相,以C18色谱柱进行分离,质谱采用电喷雾负离子扫描模式,6种雌激素的回收率为88％～104％,相对标准偏差在1.3％～8.3％之间.雌酮、雌二醇、雌三醇在生物体中的方法检出限0.35ng/g;己烯雌酚、己烷雌酚、17α-乙炔基雌二醇在生物体中的方法检出限为0.13ng/g.方法适用于生物体内雌激素的分析和检测.     

孔板消减气流脉动的数值模拟及实验研究

添加孔板是一种消减压缩机管道系统内气流脉动有效而简便的方法,尽管在工业生产中已被广泛应用,但是其设计和制作所需的各个参数尚处于靠经验取值的阶段.针对这种情况,首先阐述了孔板消减管道内气流脉动的机理;然后使用流体仿真计算软件Fluent建立了管道内气体的二维非稳定流动模型,计算了孔板对管道内气流的压力脉动的影响;并在数值模拟的基础上,搭建了往复式压缩机管道系统实验平台,在进气管线研究了孔板对气流脉动的消减作用.通过数值模拟和实验研究分析了孔板孔径比对气流脉动的影响,并指出选用恰当孔径比的孔板不仅能有效降低主管线和缓冲器至孔板段管线的压力脉动幅度而且对压缩机进口段管线内压力脉动同样具有良好的消减效果.     

基于统计理论的Au与Ag两种材料微放电敏感区域的计算

介绍了平行平板结构内一种考虑次级电子能量分布的微放电统计理论。首先推导了电子在射频场作用下的运动轨迹,构建了电子完成双边碰撞的关于渡越时间的概率密度函数,然后通过电子出射相位的稳态假设,给出了稳态积分方程。最后根据Au与Ag两种材料由蒙特卡罗方法获得的次级电子发射系数曲线,计算得到相应的敏感区域。     

Optimization of T-shaped waveguide branches in two-dimensional photonic crystals

The interval and the radius of a pair of defect dielectric rods in waveguide channels near the branching region of a T-shaped waveguide branches are simultaneously varied, and their effects on the transmission properties are investigated using the finite-difference time-domain (FDTD) method. Numerical results show that there is an optimized region where the relative bandwidth of high-transmission (total transmittance 0.95) band of the branches is larger than 17%, which is higher than that of the existing same structures (11.60%) with fixed interval. These results provide for engineering application of simple T-shaped waveguide branches with high transmission.     

线性硬化材料中稳恒扩展裂纹尖端场的粘塑性解

采用弹粘塑性力学模型,对线性硬化材料中平面应变扩展裂纹尖端场进行了渐近分析．假设人工粘性系数与等效塑性应变率的幂次成反比,通过量级匹配表明应力和应变均具有幂奇异性,奇异性指数由粘性系数中等效塑性应变率的幂指数唯一确定．通过数值计算讨论了Ⅱ型动态扩展裂纹尖端场的分区构造随各材料参数的变化规律．结果表明裂尖场构造由硬化系数所控制而与粘性系数基本无关．弱硬化材料的二次塑性区可以忽略,而较强硬化材料的二次塑性区和二次弹性区对裂尖场均有重要影响．当裂纹扩展速度趋于零时,动态解趋于相应的准静态解;当硬化系数为零时便退化为HR(Hui-Riedel)解．     

压剪载荷作用下界面裂纹尖端场的研究

建立了弹性-幂律蠕变双材料界面裂纹准静态扩展的力学模型，求得了裂纹尖端应力、应变和位移场分离变量形式的解及其数值结果；讨论了材料性能参数对裂纹尖端场的影响；计算和分析了界面裂纹的摩擦效应，并且得出了给定条件下裂尖场的轮廓图形．     

半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟

为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。     

半导体断路开关输出预脉冲的产生机理及其参数影响规律

半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究。利用Silvaco Atlas仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察,发现预脉冲的产生是由双边截断过程中N-N⁺结截断所引起的脉冲前沿变缓现象,其长短主要取决于P型轻掺杂区内的少子电子的迁移率,而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程。同时,对具有不同基区长度的器件,对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比,发现器件基区越窄,脉冲前沿越陡,而预脉冲基本相等;低电流密度条件下只发生N-N⁺结单边截断,大电流密度条件下则发生双边截断,而双边截断的延迟更长,但脉冲前沿拐点更陡,截断更快。     

多电平变换器拓扑研究及其最新进展

多电平变换器在工业生产中已经得到了广泛应用。从多电平变换器产生至今,已经有近三十年的历史。在这期间产生了大量的多电平拓扑结构,比如最常使用的二极管箝位型,电容箝位型,H桥级联型结构等。本文对多电平发展的历程进行了回顾,并分析了多电平结构之间的联系,为进一步研究和探讨多电平拓扑打下基础。     

亚太赫兹频段介电性能的共面波导测量

利用共面波导的S参数建立了一种计算亚太赫兹频率下材料介电常数实部和虚部的模型,并给出了该模型的详细推导过程和应用实例。基于该模型,利用测试得到的共面波导的S参数计算了200 GHz下衬底材料的介电常数,计算值与理论结果相符。建立的模型可广泛应用于各类材料在亚太赫兹频段介电性能的表征。