横向点间耦合对双量子点Aharonov-Bohm结构输运性质的影响

文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用.并且发现CdF2半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合.     

垂直磁场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算

应用一维化方法和有效质量近似计算了在垂直于界面的磁场作用下量子阱内类氢杂质基态和低激发态的束缚能,并考虑到GaAs和GaAlAs中电子具有不同的有效质量和不同的介电常数,所得计算结果与实验较好相符。     

固态量子计算

量子计算机拥有比经典计算机更强大的计算能力，人们普遍认为，量子计算机最终将会在固态系统中实现，文章介绍了三种固态量子计算机的方案，它们分别基于固态核振磁共振，超导结和量子点。     

半导体物理研究新进展

简要介绍了第2 6届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向.     

GaAs－Ga_（1－x）Al_xAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响

在有效质量近似下，利用一维化Ｅｕｌｅｒ方程方法计算了ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结附近类氢杂质基态及２ｐ±态束缚能及其受像势的影响．在极限情况下，我们的结果可以重现已有的精确解．     

Variational Calculations of Neutral Bound Excitons in GaAs Quantum-Well Wires

The binding energy of an exciton bound to a neutral donor (D^0, X) in GaAs quantum-well wires is calculated variationally as a function of the wire width for different positions of the impurity inside the wire by using a two-parameter wavefunction. There is no artificial parameter added in our calculation. The results we have obtained show that the binding energies are closely correlated to the sizes of the wire, the impurity position, and also that their magnitudes are greater than those in the two-dimensional quantum wells compared. In addition, we also calculate the average interparticle distance as a function of the wire width. The results are discussed in detail.     

半导体材料基因组计划:硅基发光材料

材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新, 实现新材料研发周期减半, 成本降低到现有的几分之一, 以期加速在清洁能源、国家安全、人类福利等方面的进步. 半导体材料的研究和发展奠定了半导体科学技术在当前人类社会发展中至关重要的地位, 半导体材料基因组计划的实施将促使半导体科学技术的研究和应用进入一个崭新的时代. 本文基于基因遗传算法理论设计硅基发光材料的研究工作探讨了半导体材料基因组计划的实施构想. 首先简单介绍了硅基发光的应用前景和开发硅基发光材料所面临的挑战. 随后介绍了基于模拟达尔文物种进化的基因遗传算法和高精度高性能的能带结构计算方法, 设定高效带边发光这一目标, 逆向设计拥有直接带隙发光的二维Si/Ge超晶格和一维Si/Ge核-多壳纳米线, 为实施半导体材料基因组计划提供了一个范例, 显示了材料基因组计划的强大力量和巨大价值. 最后对半导体材料基因组计划的实施提了几点建议.     

量子信息、量子计算机的科学与哲学问题研讨会简讯

20 0 0年 12月 15日 ,为纪念量子论诞辰 10 0周年 ,在国家科技会堂举行了量子信息与量子计算机的科学与哲学问题研讨会 .来自中国科学院、北京大学、清华大学、复旦大学、中国科学技术大学、南京大学、国防科技大学等单位的科学家会聚一堂、畅所欲言 ,对量子力学中的哲学问题、量子力学对未来信息科学的影响等热门话题进行了热烈讨论 .中国科学院半导体研究所所长、中国科学院院士郑厚植教授主持了研讨会 .郑厚植教授以“固态量子计算的物理基础———固体中的相干过程和控制”为专题介绍了固体中量子拍频、量子波函数工程、固态量子比特中…     

半导体InAs量子点单光子发射器件

文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.