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以水稻液泡膜H+-ATPase为研究对象,探讨了造成诱导性冷失活现象的机制.运用MC540荧光对诱导性冷失活过程中的膜脂状态研究表明,冷失活处理后膜脂的有序程度大幅度下降(MC540荧光发射增强56%),并且通过与常温下诱导物(Mg2+、ATP)扰动膜脂的效应比较,证明诱导物在冷失活条件下能诱导膜脂有序性迅速丧失,其后才出现酶活丧失.根据实验结果和膜脂-膜蛋白相互作用关系,可以认为膜脂状态变化是冷失活发生机制的一个重要方面 相似文献
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设计了一种数控直流电源,其在实际应用中非常广泛。它能保证在电网电压波动或负载发生变化时,输出稳定的电压。该数控电压源具有精度高,输出电压设置方便,硬件电路简单等特点,便于推广。可广泛应用于教学实验、家用电器等场合,配置相关接口后,可以作为手机、MP3等设备的充电器替代品。 相似文献
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本文主要介绍一种新型电流极限比较电路。该电路提供过流,限制流过LDMOS上的电流,同时根据负载状况调节电流极限值,从而达到调整占空比的作用。分析了该新型电流极限比较电路的电路结构与工作原理。采用1μmCMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真和流片测试,证明本文提出的电流极限比较电路正确可行。 相似文献
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本文设计了一种用于OTP存储器的高速读出机制.该读出机制由内部电路产生读控制时序,采用地址变化探测电路、脉冲宽度调整及控制信号产生电路、采样与锁存电路来实现读取操作.其具有电路结构简单,读出速度快,读出准确,抗噪声、抗干扰能力强,功耗低的特点.仿真结果表明整个读取周期仅为24ns,数据口的读出信号稳定准确,不会产生读取误操作. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响.XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5 V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3 μC/cm2、1.2 V和17.4 μC/cm2、2.1 V.在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题. 相似文献
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沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550~650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm. 相似文献