一种LED照明光源均匀度设计

为了满足数字摄像法能见度测量仪均匀光源的要求,提高半导体发光二极管照明的均匀性,该文提出一种基于数字图像分析技术的设计方法。首先测量单颗LED在模组区域的亮度分布,进而拟合分布函数,再运用多颗LED亮度叠加原理,计算出不均匀度最小的多颗LED阵列方式,或固定均匀度对应的最佳尺寸。对仿真数据和实测数据进行对比分析,结果表明,该文计算出的LED阵列方式,与单边阵列相比,均匀度显著提高,最高可达95%以上。     

SrRuO3导电层对快速退火制备Pb(Zr,Ti)O3薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响.XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5 V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3 μC/cm2、1.2 V和17.4 μC/cm2、2.1 V.在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题.     

沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.     

一种OTP存储器高速读出机制的设计

本文设计了一种用于OTP存储器的高速读出机制.该读出机制由内部电路产生读控制时序,采用地址变化探测电路、脉冲宽度调整及控制信号产生电路、采样与锁存电路来实现读取操作.其具有电路结构简单,读出速度快,读出准确,抗噪声、抗干扰能力强,功耗低的特点.仿真结果表明整个读取周期仅为24ns,数据口的读出信号稳定准确,不会产生读取误操作.     

基于虚拟化云计算平台的激光密封焊接状态监控系统设计

熔池的几何特征参数,会在激光焊接过程中反映出焊接质量.激光焊接视觉系统可对熔池几何特征参数进行实时获取,对焊接质量监控及实现焊接自动化非常重要.健全了高功率光纤激光器深熔焊过程检测视觉系统,系统性分析图像处理算法,对熔池图片边缘进行有效提取,避免发生较大的干扰,实现熔池几何特征参数的准确在线测量.提出了一种运用熔池先验...     

美食纪录片中传统文化的人文精神呈现

美食纪录片以美食为主要表现对象，从视听艺术的角度传播中国传统饮食文化的题材类型。笔者将以《寻味顺德》为代表的一系列国内优秀美食纪录片作为研究对象，从传统文化中蕴含的儒家精神、道家精神、工匠精神等三个层面，分析当代美食纪录片中蕴含的人文内涵与思想情怀，并探讨美食纪录片所呈现的传统文化中蕴含的人生意义，以及对人类生存意义的关注和思考。     

UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术

随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小，MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制；然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了为抑制短沟道效应而引入的不同UTBB SOI MOSFETs结构，分析了这些结构能够有效抑制短沟道效应（如漏致势垒降低、亚阈值摆幅、关态泄露电流、开态电流等）的机理；而后基于这六种技术，对近年来在UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制方面所做的工作进行了总结；最后对未来技术的发展进行了展望。