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庞丹阳叶沿林 郑涛李智焕 李湘庆葛愉成 华辉吴翠娥 楼建玲卢飞 范凤英A. Ozawa Y. Yamaguchi R. Kanungo D. Fang I.Tanihata 《中国物理快报》2007,24(10):2785-2788
The inclusive differential cross sections of the ^7 Li nucleus in a reaction induced by ^6He on a ^9Be target are measured at an incident energy of 25 MeV/nucleon. Finite-range distorted-wave Born approximation calculations suggest that these ^7 Li particles are formed in a direct single-proton pickup reaction ^9Be(^6He,^7 Li)^8Li. The experimental data can be well reproduced by taking into account of the contributions of both the ground states and the first excited states of ^7Li and ^8Li. 相似文献
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改革开放以来,随着科学技术的不断发展,我国的铁路技术有了相当大的进步。在铁路工作中,通信传输占着一定比重,对整个铁路技术有着重要影响。在铁路通信传输技术给人们带来便利的同时,越来越多的问题也接踵而至,给铁路运输带来了很大的安全隐患。对此,要从实际情况出发,采取恰当的措施办法,从而提高铁路通信传输的安全性。 相似文献
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基于半定规划理论提出了一种新的阵列天线方向图旁瓣抑制算法。与传统旁瓣抑制方法不同,该方法通过合理设计优化准则,避免了在凸优化问题建模过程中引入近似,保证了波束形成器的最优性;并且使得在压低旁瓣的同时,可准确控制信噪比增益和主瓣宽度到期望的范围之内。该方法对阵列流形没有限制,计算机仿真结果验证了其有效性。 相似文献
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High throughput N-modular redundancy for error correction design of memristive stateful logic
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Memristive stateful logic is one of the most promising candidates to implement an in-memory computing system that computes within the storage unit. It can eliminate the costs for the data movement in the traditional von Neumann system. However, the instability in the memristors is inevitable due to the limitation of the current fabrication technology, which incurs a great challenge for the reliability of the memristive stateful logic. In this paper, the implication of device instability on the reliability of the logic event is simulated. The mathematical relationship between logic reliability and redundancy has been deduced. By combining the mathematical relationship with the vector-matrix multiplication in a memristive crossbar array, the logic error correction scheme with high throughput has been proposed. Moreover, a universal design paradigm has been put forward for complex logic. And the circuit schematic and the flow of the scheme have been raised. Finally, a 1-bit full adder (FA) based on the NOR logic and NOT logic is simulated and the mathematical evaluation is performed. It demonstrates the scheme can improve the reliability of the logic significantly. And compared with other four error corrections, the scheme which can be suitable for all kinds of R-R logics and V-R logics has the best universality and throughput. Compared with the other two approaches which also need additional complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) circuits, it needs fewer transistors and cycles for the error correction. 相似文献