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201.
202.
(上接2008年第1期90页)
2.2.4 同轴和双绞发送/返回导线
由于同轴线屏蔽层上的电流沿着芯线的方向流动,并均匀地穿过导线的横截面。因此,同轴线是发送/返回路径一致性最好的导线,但柔性同轴线的效果稍差一些。许多厂商更愿意使用成本更低的非屏蔽电缆。 相似文献
203.
建立了用于移动无线互联网接入的视频编码转换模型,提出了自适应运动矢量估值方法.将编码转换码率控制分为图像层控制和宏块层两级,首先在总体上对每帧图像的编码比特数进行预分配,然后采用小波变换系数来表征图像特征,为帧内不同特征的宏块选用不同的量化因子,提出了一种新的码率控制策略.模拟实验表明:该方法在视频图像质量没有明显失真的前提下,提高了视频编码转换速度;编码转换输出码流和编码转换缓冲区占用量较稳定,重建图像的信噪比得到了明显的改善. 相似文献
204.
205.
This article introduces the design and performance of the data acquisition system used in an omnidirectional gamma-ray positioning system, along with a new method used in this system to obtain the position of radiation sources in a large field. This data acquisition system has various built-in interfaces collecting, in real time, information from the radiation detector, the video camera and the GPS positioning module. Experiments show that the data acquisition system is capable of carrying out the proposed quantitative analysis to derive the position of radioactive sources, which also satisfies the requirements of high stability and reliability. 相似文献
206.
207.
208.
6.1.6设备互连的"浮地"问题
前面内容仅考虑了单个产品自身的ESD防护问题,如果两个或更多的产品互连到一起(如通过电源线、信号线、控制线或数据线等互连),"浮地"将成为一个新的ESD问题。 相似文献
209.
刘清华 李敬 单李军 肖德鑫 潘清 刘宇 王汉斌 胡栋材 张鹏 李寿涛 王建新 张德敏 闫陇刚 张小丽 甘孔银 张成鑫 李鹏 沈旭明 柏伟 陈云斌 李晓辉 王帅华 余勇 陈镐 胡秀太 马国武 周奎 周征 王远 杨兴繁 吴岱 黎明 陈门雪 胡进光 赵剑衡 范国滨 《强激光与粒子束》2022,34(12):124001-1-124001-2
报道了基于光阴极S波段电子直线加速器建成的9 MeV高能微焦点射线成像系统“精卫”,X射线束横向尺寸小于100 μm,7 h剂量波动低至1.6%。初步开展成像实验结果表明:双丝像质计清晰分辨13D号丝,丝直径0.05 mm,CT测试卡测得空间分辨率优于10 lp/mm,装置同时兼容电子束能量6~18 MeV可调。 相似文献
210.
Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs
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Shao-Hua Yang 《中国物理 B》2022,31(12):126103-126103
Based on the BL09 terminal of China Spallation Neutron Source (CSNS), single event upset (SEU) cross sections of 14 nm fin field-effect transistor (FinFET) and 65 nm quad data rate (QDR) static random-access memories (SRAMs) are obtained under different incident directions of neutrons: front, back and side. It is found that, for both technology nodes, the "worst direction" corresponds to the case that neutrons traverse package and metallization before reaching the sensitive volume. The SEU cross section under the worst direction is 1.7-4.7 times higher than those under other incident directions. While for multiple-cell upset (MCU) sensitivity, side incidence is the worst direction, with the highest MCU ratio. The largest MCU for the 14 nm FinFET SRAM involves 8 bits. Monte-Carlo simulations are further performed to reveal the characteristics of neutron induced secondary ions and understand the inner mechanisms. 相似文献