基于图像活动性的序列图像分形编码方法

介绍了分形的概念以及分形压缩的主要思想;阐述了传统的分形图像压缩编码的基本原理与实现方法;提出了一种基于图像活动性序列图像分形编码方法。该方法首先由相邻帧之间的预测差值来判断当前编码块的活动性,然后根据图像的活动性,对不同特性的块采用不同的分形编码策略,最后对编码后得到的迭代函数系统（IFS）码进行可变长度编码（VLC）,以获得更高的压缩比。     

乳酸环丙沙星的荧光特性及其应用

本文对乳酸环丙沙星的荧光特性进行了研究,研究发现,该物质在０．１ｍｏｌ／Ｌ盐酸介质中有很强的荧光性质,其激发波长为２８５ｎｍ和３３０ｎｍ,发射波长为４５０ｎｍ,乳酸环丙沙星浓度在５×１０－９—１×１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内与荧光强度呈线性关系。用荧光法测定注射液中乳酸环丙沙星的含量,方法简单,快捷、灵敏度高。结果令人满意。     

高清晰度电视信号串行传输系统的研究

提出了一种利用同轴电缆串行传输高清晰度电视信号的方法,设计了传输系统的发送和接收模块,并对其工作过程进行了较为详细的分析和讨论.     

基于最佳量化的序列图像编码转换码率控制策略

该文分析了编码转换缓冲区的状态,导出了编码转换缓冲区为防止解码器缓冲区下溢和上溢应满足的条件,建立了序列图像编码转换模型。并根据编码转换缓冲器的状态和信道速率,为待编码帧在图像层上预分配目的序列图像编码比特数,使用DCT系数分布特性来表征图像特性。继而为帧内每一具体宏块选定最佳量化因子,提出了基于最佳量化的码率控制策略,模拟实验表明,该码率控制策略能有效地减少、避免缓冲区出现上、下溢的情况,使输出码率趋于稳定,提高了重建序列图像的信噪比。     

LMI-based output feedback fuzzy control of chaotic system with uncertainties

This paper studies the robust fuzzy control for nonlinear chaotic system in the presence of parametric uncertainties. An uncertain Takagi--Sugeno (T--S) fuzzy model is employed for fuzzy modelling of an unknown chaotic system. A sufficient condition formulated in terms of linear matrix inequality (LMI) for the existence of fuzzy controller is obtained. Then the output feedback fuzzy-model-based regulator derived from the LMI solutions can guarantee the stability of the closed-loop overall fuzzy system. The T--S fuzzy model ofthe chaotic Chen system is developed as an example for illustration. The effectiveness of the proposed controller design methodology is finally demonstrated through computer simulations on the uncertain Chen chaotic system.     

外部干扰的抑制(一)

6 ESD、机电设备、功率因数校正、电压波动、电压骤降与跌落 6.1 ESD（静电放电） 6.1.1 ESD的危害 商用与工业设备的ESD测试通常采用IEC／EN61000—4—2所规定的测试方法,该方法主要模拟人体指尖的静电放电。许多人都会有这样的经历,就是当空气的湿度比较低时,用手去触摸一些金属物体（比如门把手）,会发生静电放电。     

电缆与连接器(一)

2电缆与连接器 2．1引言 本章节主要讨论模拟与数字信号和脉宽调制（PWM）、交流或直流电源所用金属连接器的EMC设计问题。这些连接器用于产品内部的电路间连接,或者系统（或装置）内部的产品间连接。     

开关电源差模电流辐射干扰的模拟与分析

本文采用电磁场数值模拟的方法对开关电源差模电流的辐射干扰进行了模拟,并对模拟的结果进行分析,得出了差模电流辐射的基本特性和闭合印制线回路的变化对它的影响.     

14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比

使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件,14 nm FinFET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2%增大至7.6%,源于14 nm FinFET器件灵敏区尺寸(80 nm×30 nm×45 nm)、间距和临界电荷(0.05 fC)的减小.不同于65 nm器件对热中子免疫的现象,14 nm FinFET器件中M0附近10B元素的使用导致其表现出一定的热中子敏感性.进一步的中子输运仿真结果表明,高能中子在器件灵敏区中产生的大量的射程长、LET值大的高Z二次粒子是多位翻转的产生诱因,而单粒子翻转主要来自于p,He,Si等轻离子的贡献.     

氟化钙晶体缺陷对应力双折射影响机制的研究

氟化钙(CaF2)晶体具有紫外透过率高(>99;@193 nm)、抗激光损伤阈值高等特点,在高功率紫外激光器、深紫外光刻机等领域具有广泛的应用.应力双折射是氟化钙晶体在实际应用中的关键性能指标,会导致通过晶体的光束发生形变,严重影响成像质量.采用坩埚下降法制备了尺寸为φ210 mm的氟化钙晶体,系统研究了CaF2晶体的位错和小角度晶界以及结晶质量对晶体应力双折射的影响,实验结果表明,位错密度的增高、小角度晶界的聚集、结晶质量的变差,会引起局部残余应力的集中,加剧应力双折射现象.