二维空间中一类具临界幂的耦合非线性波动系统的爆破解

在二维空间中建立了一类具临界幂的非线性耦合波动系统爆破解的存在性.并进一步研究爆破解的定性行为,得到爆破解的L~2集中性质.     

500万之战 索尼爱立信K850i VS 三星SGH-G600

索尼爱立信(Sony Ericsson)K850i、三星(SAMSUNG)SGH-G600,G网新锐500万像素拍照手机在此一决!更有诺基亚(NOKIA)N95、索尼爱立信K850i、三星G600三大500万像素手机拍照性能专项PK,绝对不容错过!     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

微结构与表面修饰对二氧化硅多孔薄膜疏水性能的影响

通过引入聚乙二醇(PEG)改性传统二氧化硅(SiO2)溶胶,得到了粒径分布较宽且粒径可控的溶胶。比较了六甲基二硅氮烷(HMDS)溶胶内修饰和薄膜表面修饰以及溶胶粒径对SiO2薄膜疏水性能的影响。采用动态光散射粒度仪定量测试了二氧化硅溶胶老化过程中粒度的变化,用原子力显微镜、接触角测试仪、红外光谱仪、紫外-可见-近红外分光光度计分别对薄膜的表面形貌、表观静态接触角、薄膜成分及透光率等进行了测量。结果表明:PEG的添加可有效增大溶胶粒度从而增大薄膜的粗糙度,提高薄膜的疏水性。表面修饰效果受修饰方式和SiO2粒径影响,粒径较小时有利于溶胶内修饰,粒径较大时有利于对薄膜修饰。经过表面修饰剂(HMDS)的气氛处理得到了接触角为152°的超疏水薄膜,而且相比溶胶内修饰可以减小薄膜透光率的损失。     

Ni/4H-SiC 肖特基势垒磁场下输运性质的分析

采用高真空电子束蒸发的方法将镍 (Ni)淀积在 4H SiC(0 0 0 1)面上 ,制备出良好的Ni/4H SiC肖特基接触 .研究了Ni/4H SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I -V特性 ,并以热电子发射理论为基础 ,结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算 ,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系 ,和温度成反比关系 ,与实验结果基本符合     

2kW行波加速器加速管冷却系统的数值优化设计

 利用工程设计分析软件I DEAS，对高功率加速管的冷却系统进行了计算机辅助设计研究，并通过对不同冷却条件下加速管的温度场、冷却系统的冷却效果进行的数值模拟，实现了加速管冷却系统的优化设计。这可为高束流功率低能电子直线加速器的设计提供参考。     

薄·金 诺基亚6500 classic

作为6500系列双子星之一的6500 classic(以下简称6500c)并不像另外一款那样拥有高规格的摄像头配置,它的特点是超薄设计,而且是诺基亚(NOKIA)手机中的新科超薄状元,中意超薄手机的用户务必一看。     

带调和势的非线性Schrdinger方程爆破解的L~2集中率

本文讨论了带调和势的具有临界幂的非线性Schrodinger方程,得到其爆破解在t→T(爆破时间)的L2集中率．     

Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3的磁性

详细地研究了Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3 (x=0.3,0.5,0.6和0.7)的磁化强度(M)和矫顽场随温度(T)的变化． 实验发现， 在一定温度范围内，M-T曲线上出现异常的负磁矩； 矫顽场与温度的关系不是单调变化的， 而是在温度补偿点到最大值． 这些结果表明Bi0:9-xGdxLa0:1FeO3体系中Gd和Fe磁晶格呈反铁磁耦合．但由于Gd离子和Fe离子的磁矩不相等，导致该体系中存在亚铁磁性．     

“卡片”正当红 魅族Music Card

要说2006年最“红“的MP3播放器,miniplayer绝对会在三甲之中占据一席之地。如今进入2007年,其主人魅族(MEIZU)的势头丝毫不减,不仅追加8GByte版的更大容量miniplayer,更在3月下旬推出了今年的首个主打产品--Music Card,看起来,魅族和它的MP3产品将会持续“红“下去。