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211.
一、晶体各向异性的实验现用高中物理教材甲种本第二册73页,有如图1所示的甲与乙两个实验.图(甲)是云母片上熔化了的石蜡成椭圆形;图(乙)是玻璃板上熔化了的石蜡成圆形。两个实验对比,说明晶体(云母)在不同方向上的导热性是不相同的, 相似文献
212.
本文研究了HgSr2Ca2.0Y0.3Cu1.8Re0.2Oz和Hg(Ba0.5Sr0.5)2CaCu1.8Re0.2Oz(Hg1212)超导体的磁化弛豫,发现磁化弛豫偏离了对数时间依赖关系。采用指数弛豫表达式M=M0 M1t^-α,可以很好地拟合Hg基超导体的磁化弛豫。通过比较Hg1212、YBa2Cu3O7-δ和Bi2Sr2CaCu2O8的磁化弛豫行为,研究了磁化弛豫率和钉扎势随CuO2层间距离的变化关系,发现磁化弛豫率随层间距离增大而增大,而钉扎势则随之增大而减小。 相似文献
213.
214.
215.
216.
别误会,我们并不是说Z558c是索尼爱立信[Sony Ericsson]的第一款手写手机,那个荣誉属于索尼爱立信的智能电话,但如果放到非智能电话之列,那么Z558c就可以毫无争议将这一称号收入囊中了。这是索尼爱立信专为喜爱手写输入的用户特别推出的产品,作为索尼爱立信旗下首款支持手写输入的非智能电话,Z558c的表现究竟如何呢?别走开,答案马上揭晓! 相似文献
217.
研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响,使用的辐照剂量为1015 n/cm2.通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷,这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm,与高温超导相干长度相当,并且在退火过程中稳定存在,而小的点缺陷在退火过程中消失.磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化,临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失.然而对辐照的样品退火处理后,其超导电性明显改善,临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品,鱼尾峰也向高场移动.这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高. 相似文献
218.
以正硅酸乙酯作为前驱体,利用碱催化方式制备了SiO2溶胶,通过在溶胶中添加含疏水基团(-CH3)的六甲基二硅氮烷(HMDS)对溶胶进行改性,使用添加不同物质的量比HMDS改性后的溶胶用提拉法在K9基片上镀膜,获得了具有疏水性能的SiO2薄膜。采用自制接触角测量仪、紫外-可见-近红外分光光度计研究了薄膜的水接触角和透过率。测试了薄膜的激光损伤阈值,并观察了激光辐照后薄膜的损伤形貌。通过真空污染实验对薄膜的抗污染能力及抗激光损伤能力进行了研究。实验结果表明:经疏水改性的溶胶所镀制的薄膜激光损伤阈值由未改性样品的24.3 J·cm-2增加到37 J·cm-2(1 064 nm,10 ns),且抗真空污染能力大大加强:在真空环境下保存168 h后,未改性样品的峰值透过率下降了2%,而疏水改性后的样品峰值透过率仅下降了0.25%,并保持了较高的激光损伤阈值(30.8 J·cm-2)。 相似文献
219.
220.
带调和势的非线性Schrdinger方程爆破解的L~2集中性质 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了带调和势的具有临界幂的非线性schrdinger方程,得到其爆破解在t→T(爆破时间) 的几个重要性质;在L2空间中强极限的不存在性;爆破点以及L2集中性质. 相似文献