CMOS放大器的温度补偿偏置

受载流子迁移率、阈值电压等参数的温度特性的影响，CMOS放大器往往具有较差的温度稳定性。本文介绍了一种基于恒跨导参考电流源偏置电路的温度补偿技术，理论分析和电路模拟结果显示，这种偏置方法对短沟道MOS管放大器也具有良好的温度补偿效果。     

微弱神经信号探测CMOS放大器

采用CSMC 0. 5 μm CMOS工艺设计了微弱神经信号探测放大器芯片.电路适用于卡肤电极.电路采用并联运算放大器差动输入的三运放结构,具有输入阻抗高、共模抑制比高的特点.为防止运算放大器产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿.电路工作电压±2.5 V,单个运放的功耗为734 μW,增益86.2 dB.电路功耗1.9 mW,增益80 dB,3 dB带宽大于10 kHz,可满足神经信号探测的应用要求.     

用于SDH STM-64光发射机的GaAs PHEMT激光驱动器

介绍了用于SDH系统STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计。电路采用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMTs工艺设计并制造,可以驱动激光二极管和电吸收式调制器。电路由输入匹配电路、预放大电路、源极跟随器、主放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成。电路芯片面积1.0mm×0.9mm。测试结果表明,电路采用单一正5V电源供电,直流功耗1.4W,可以在10Gb/s速率下正常工作,眼图良好。最高工作速率高于20Gb/s,输出电压幅度2.8V。     

电流激励神经信号再生电路

介绍了一种电流激励神经信号再生电路,该电路由探测电路和激励电路组成。探测电路由全差分运算放大器和仪表放大器组成。全差分运算放大器从神经元上端探测并放大神经信号,仪表放大器对信号进一步放大。最后激励级的跨导放大器将电压线性的转化为电流。电路采用CSMC0.5μmCMOS工艺设计,芯片版图尺寸为0.93mm×0.60mm。芯片的仿真结果为：在±2.5V供电电压下,功耗为8.1mW,输出电流最高可达0.357mA,输出电阻为152kΩ,总谐波失真小于1.9%。     

用于SDH STM-4光发射机的4:1复接器和激光驱动器

采用CSMC0.6μm CMOS工艺设计实现了速率为622Mbps的4∶1复接器和激光二极管驱动器电路。4∶1复接器采用树型结构,由3个2∶1复接器组成。激光二极管驱动器电路由两级差分放大器和一级电流开关构成,级间采用源级跟随器隔离。电路芯片尺寸为1.5mm×0.7mm。电路采用单一正5V电压供电,功耗约为900mW。测试结果表明,电路的最高工作速率超过1.25Gbps速率,输出最大电流超过85mA。     

5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器

采用IBM 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器.功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度.输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现.在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7dB;1dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%.     

VCD,DVD技术与发展

本文介绍了ＶＣＤ，ＤＶＤ的有关技术及规格，并将之作了比较，据此，分析了ＶＣＤ，ＤＶＤ产品在我国市场的发展前景。     

开关级宏模型及开关级逻辑模拟器

本文提出了一种新的模拟算法——节点标志法,该算法具有节省内存和保持模拟可靠的优点。针对门级模型所存在的局限性,提出了适用于MOS数字器件进行模拟的开关级宏模型,讨论了该模型的建立方法及网络求解算法。文中介绍了已研制成功的开关级逻辑模拟器MSLSIM。通过对一些实例的模拟,得到了较为满意的结果。     

直接数字频率合成器的教学实验

本文介绍一个电子系统设计实验-直接数字频率合成（DDS）信号源的设计与实现。该信号源可输出一定频率范围的正弦波、方波和三角波信号，输出频率可通过键盘进行预置，输出信号的类型和频率由LED数码管显示。实验采用单片机完成波形的相位、幅度值计算，波形数据存储在RAM中；用CPLD进行相位累加，并提供与单片机和数码管、RAM及内部累加器的接口和控制，由RAM读出的波形数据通过DAC芯片转换为模拟量，最后经一个模拟滤波器，对输出波形进行平滑。