SDS及其与十二烷基三乙基溴化铵混合体系在矿化水中的表面活性

测定了十二烷基硫酸钠(SDS)、十二烷基三乙基溴化铵(DTEAB)单一体系及不同摩尔比的混合体系在矿化水溶液中的表面活性,并与在纯水和NaCl水溶液中的表面活性作了比较．所得结果表明：(1)阴离子表面活性剂SDS在含Ca^2 ,Mg^2 等的矿化水中有比在纯水和NaCl水溶液中更好的表面活性．这一方面是由于矿化水中的Ca^2 ,Mg^2 对负电胶团和表面吸附层的强烈电性作用,另一方面在大量Na^ 存在时,钠钙盐混合表面活性剂Krafft点提高不多;(2)SDS和DTEAB混合物在矿化水中具有很强的增效作用,其表面活性的变化规律与在纯水和NaCl水溶液中基本相同,表明阴阳离子表面活性剂混合体系具有优异的抗矿化水性能．这些结果可用阴、阳表面活性离子的电性作用解释．     

吖啶橙—罗丹明6G—罗丹明B组合成各种混合染料体系的能量转移研究

本文对吖啶橙－罗丹明６Ｇ－罗丹明Ｂ组合成各种混合染料体系的能量转移进行了研究。结果表明，在十二烷基硫酸钠的水溶液中，吖啶橙－罗丹明６Ｇ间，罗丹明６Ｇ－；罗丹明Ｂ间，吖啶橙－罗丹明Ｂ间均能发生有效的能量转移。可以认为不仅染料单体，而且二聚体也是能量转移效率的竞争，探讨了表面活性剂对能量转移的影响。本文的工作将有助于拓宽能量转移的理论研究和应用范围。     

基于正交化的时频组合调制系统的性能分析

本文基于泛函分析中内积空间理论建立了信号空间，将时频信号表示成相互正交的矢量，然后对时频组合调制系统进行了性能分析。给出了在ＡＷＧＮ信道匹配子空间解调器的条件下，对四时四频系统进行性能分析的过程，分析的结果得到了计算机模拟试验的验证。文中最后也推广给出Ｍ进制ｎ时ｎ频时频组合调制的误码率公式。     

十二烷基季铵盐及其与十二烷基硫酸钠混合体系的表面活性

通过表面张力测定，研究了十二烷基季铵盐Ｃ１２Ｈ２５Ｎ（ＣｎＨ２ｎ＋１）３Ｂｒ（ｎ＝１，２，３，４）及其与十二烷基硫酸钠混合体系的表面活性，应用规则溶液理论，计算了混合体系表面吸附层和胶团的组成及分子相互作用参数，对于季铵盐、极性基影响大：ｃｍｃ随ｎ增加而下降，γｃｍｃ则先上升，后下降，自极性基碳链的空间阻碍、疏水、弯曲效应，以及电荷屏蔽效应可对此予以解释，对于混合体系，极性基大小对其表面活性及胶团     

Ⅱ—Ⅵ族半导体特性参数的三维边缘元分析

本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的散射特性,给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并了用这些曲线确定Ⅱ－Ⅵ族半导体电牧场生参数的方法,该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中示解有损超薄各向异性介质充波导本征值问题的困难,简化了求解过程,计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。     

马来酸酐均聚反应机理的理论研究Ⅱ: α-羟基丁二酸酐碳阴离子和碱催化下的阴离子聚合机理

用AM1方法计算了马来酸酐、氢氧根阴离子及其加成物α-羟基丁二酸酐碳阴离子的电子结构、电荷分布和键级。应用前线轨道理论和成键三原则研究了碱(NaOH)催化条件下马来酸酐均聚过程中α-羟基丁二酸酐碳阴离子活性中间体参与反应的可能性及其阴离子聚合机理。计算结果能很好地阐明实验事实。     

钨球对高硬度钢斜侵彻效应

为研究高硬度钢板抗不同着角钨球的侵彻性能及破坏模式,通过弹道枪进行了?8 mm、?11 mm钨合金球形破片以0°、20°、40°着角撞击厚度为6 mm、8 mm的高硬度钢板试验,得到了极限贯穿速度v₅₀;分析了钨球轴向径向变形及靶板失效模式与撞击速度的关系,发现高硬度钢板失效模式主要为压缩开坑破坏和沿厚度方向剪切破坏。采用有限元方法对试验进行了模拟,验证了数值模型及参数的合理性,并运用数值模拟方法研究了撞击着角对靶板吸能模式影响,结合试验数据,修正已有极限贯穿速度计算公式。结果表明:随侵彻着角增大,极限贯穿速度提高,且着角越大,极限贯穿速度增长越快;随着角增大,靶板吸能模式逐渐由压缩开坑向剪切冲塞过渡,且着角大于50°时,剪切冲塞耗能将超过压缩开坑耗能;修正后极限贯穿速度计算公式适用范围更广、精度更高,具有较好工程应用价值。     

超高效液相色谱-串联质谱法对饲料中15种β-肾上腺素能激动剂的测定

动物源性食品中兽药残留是近几年来国际社会开始研究的公共卫生问题之一.世界各国加强了对国际贸易动物源性食品中兽药残留的检测,而开展饲料及饲料添加剂中兽药残留的检测是从源头进行控制的有效手段[1].     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。