掺Er~(3 )/Yb~(3 )光纤激光的理论分析

提出了光纤腔掺Ｅｒ３＋／Ｙｂ３＋光纤激光的模型和速率方程，推导了阈值泵浦功率的解析公式．运用数值求解方法，得到了光纤中反转粒子数分布、小信号增益系数和激光的输出功率．同时也给出了数值曲线，可用于掺Ｅｒ３＋／Ｙｂ３＋光纤激光器的优化设计．     

啁啾莫尔光纤光栅特性的研究

较全面地分析了啁啾莫尔光纤光栅的特性。介绍了啁啾莫尔光纤光栅的发展与应用前景。提出了利用薄膜传输矩阵的方法来计算光纤光栅 ,这种算法将光栅视为多层均匀薄膜的叠加 ,利用传输矩阵计算光栅特性 ,并将这种算法与其它相关算法进行了比较。作为一种滤波器 ,啁啾莫尔光纤光栅的透射特性尤为重要 ,针对这种光纤光栅的长度、啁啾量及相移等重要参数计算了光栅的透射率变化 ,并对结果进行了优化数值分析 ,得出了它们之间的关系     

OPTICAL REALIZATION OF WAVELET TRANSFORM WITH A SINGLE LENS

Two optical set-ups to implement wavelet transform with a single lens have been proposed, in which the wavelet filter was placed in front of the imaging lens or on the frequency plane. The general formula of the complex field distribution of the output plane has been deduced. The analysing wavelet functions of the band-pass wavelet filters with double and circular slits have been discussed.     

P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P₂S₅/NH₄OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P₂S₅/NH₄OH溶液处理后,GaAs表面处Ga₂O₃和As₂O_{3关键词：}     

光子晶体研究进展

详细论述了光子晶体概念提出到现在的十五年的研究进展。在阐述了光子晶体的概念及其抑制自发辐射和光子局域化等特性后，分别介绍了关于光子晶体的理论研究、实验研究和应用研究。理论研究重点介绍了平面波展开法、格林函数法、时域有限差分法、转移矩阵法。实验研究重点介绍了光子晶体的制作方法：打孔法、逐层叠加法、微机械技术、光学方法，反蛋白石法及刻蚀等多种半导体制作技术，同时介绍了光子晶体特性参数的测量。应用研究重点介绍了光晶体光纤和波导、低损耗反射镜和超棱镜、光子晶体微谐振腔、光子晶体滤波器、高效发光二极管和光子晶体偏振器、非线性光学效应、低阈值激光振荡等。     

复杂背景下运动点目标的检测算法

在复杂背景红外序列图像中,运动点目标的检测一直是研究的重点和难点。介绍了一种新的复杂背景下运动点目标的检测算法。首先根据点目标、背景干扰和噪声在红外图像中的差异,运用窗口大小不同的均值滤波器进行背景抑制以提高图像的信噪比,然后用一种门限法得到新的分割序列图像,最后采用改进后的隔帧差分光流场算法可有效地检测出点目标。仿真实验表明该算法优于传统光流场算法,能够检测帧间位移小于一个像元的运动目标,具有较好的检测性能,且实时性强。     

Pr3+/Yb3+共掺1.3μm锆系氟化物玻璃光纤的研制

本文通过引入Ｙｂ＾３＋离子以提高掺镨光纤的泵浦效率和改善高浓度掺杂下的浓度猝灭效应。阐述了掺Ｐｒ＾３＋氟化物玻璃光纤的工艺并对掺Ｐｒ＾＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤的光谱特性进行了研究。     

异质结电荷注入晶体管

通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．     

掺Er~（3＋）／Yb~（3＋）氟铝玻璃非辐射跃迁的研究

测量了掺Ｅｒ３＋／Ｙｂ３＋氟铝玻璃的吸收谱，在０．９８μｍ附近，比掺Ｅｒ３＋氟铝玻璃具有明显的吸收增强．用Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论得出了其光谱参量Ωλ（λ＝２，４，６），并计算了有关能级的声子跃迁速率．理论分析及实验结果表明，该材料适合于频率上转换激光的产生     

Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

采用x射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)对Au/a-Si:H界面进行了研究。实验表明,Au/a-Si:H界面最初形成过程是以金属团生长形式出现,当Au淀积量超过一定值后,Au和Si开始互扩散并进行化学反应,结果形成Au-Si互溶区。利用光发射方法证实,热处理Au/a-Si:H界面导致淀积膜中Si岛形成。 关键词：