首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   251篇
  免费   61篇
  国内免费   50篇
化学   29篇
晶体学   1篇
力学   10篇
综合类   3篇
数学   3篇
物理学   93篇
无线电   223篇
  2024年   1篇
  2023年   12篇
  2022年   15篇
  2021年   11篇
  2020年   11篇
  2019年   14篇
  2018年   8篇
  2017年   8篇
  2016年   11篇
  2015年   9篇
  2014年   19篇
  2013年   14篇
  2012年   19篇
  2011年   15篇
  2010年   13篇
  2009年   29篇
  2008年   20篇
  2007年   17篇
  2006年   18篇
  2005年   11篇
  2004年   5篇
  2003年   8篇
  2002年   6篇
  2001年   6篇
  2000年   12篇
  1999年   6篇
  1998年   3篇
  1997年   8篇
  1996年   11篇
  1995年   6篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1992年   1篇
  1991年   1篇
  1990年   2篇
  1988年   2篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1955年   2篇
排序方式: 共有362条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
吴政  王尘  严光明  刘冠洲  李成  黄巍  赖虹凯  陈松岩 《物理学报》2012,61(18):186105-186105
金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应, 导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻, 限制了Si基Ge探测器响应带宽. 本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器. 对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数. 发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻, 将台面直径为24 μ的探测器在1.55 μ的波 长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍. 同时, 器件暗电流减小一个数量级, 而响应度提高了2倍. 结果表明, 采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极, 可有效钝化金属与Ge界面, 减轻费米钉扎效应, 降低金属与n-Ge接触的势垒高度, 因而减小接触电阻和界面复合电流, 提高探测器的光电性能.  相似文献   
52.
金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的GePIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和A1/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基GePIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数.发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24um的探测器在1.55um的波长和-1V偏压下的3dB响应带宽提高了4倍.同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍.结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能.  相似文献   
53.
GSM数据业务     
张静  李成 《现代通信》2000,(6):20-21
GSM无线数据业务是第3代移动通信的一个重要组成部分,它使得人们不受空间、地域的限制,随时随地在移动中收发E-mail、收发传真、访问Internet等,它是数据通信技术和移动通信技术的结合。与此同时,无线数据业务的范畴也在不断地拓展,诸如远程控制、电子购物、车辆调度、新闻浏览、移动多媒体等等诸如此类的业务都将是未来无线数据业务的范畴。GSM技术提供了消息系统、电路交换和分组交换型移动数据通信的功能,从最初的电路型数据业务到GPRS分组型数据业务。 一、消息系统 在GSM系统中引入短消息业务中心,作为短消息的存储转发…  相似文献   
54.
家庭网络的基本因素分析   总被引:4,自引:2,他引:2  
家庭网络是一项复杂的系统工程,文中对其结构、功能和技术手段等基本因素进行了初步分析和阐述。  相似文献   
55.
用于光电子器件的低成本、高反射率SOR衬底   总被引:3,自引:0,他引:3  
报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋 Si/Si O2 布拉格反射器的 SOR衬底 .这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的 .在垂直光照条件下 ,这种 SOR衬底在 1.3μm处的反射率接近10 0 %  相似文献   
56.
本文以二次雷达天线箱体为例,设计了框架铆接、整体焊接两种不同的结构型式箱体。为了减少天线在自重和风载荷作用下产生的变形,提升天线整体的刚度与强度,建立天线箱体、骨架和内外支架等参数化模型,优选天线各组成部分材料,并利用力学仿真软件对其进行优化设计。仿真结果与工程实践同时表明两种设计方案均能满足天线的输入指标;通过对比两种方案可知,整体焊接的箱体存在较大优势。这为后续类似天线结构的设计提供了参考。  相似文献   
57.
传统光纤光栅传感网络具有灵活性低、移动性差等缺点.提出采用无线通信方式进行数据传输,构建一个新型的光纤光栅无线传感网络.设计了该传感网络的MAC层协议-FG-MAC(Fiber Grating Media Access Control)协议,并与IEEE 802.11协议在时延、吞吐量和能耗三方面进行了比较分析,结果显示FG-MAC协议更适合该新型传感网络.
Abstract:
The conventional fiber grating sensor network is poor in flexibility, mobility, etc. A novel fiber grating sensor networks is introduced, which is based on wireless data transmission. The FCr-MAC protocol (Fiber Grating Media Access Control) in MAC layer is designed, and is compared with IEEE 802.11 protocol in time delay, throughput, energy consumption. The results indicates FG-MAC protocol is more suitable for the novel fiber grating sensor networks.  相似文献   
58.
现如今,护目镜、口罩的佩带不便、长时间佩戴对面部造成严重挤压、眼镜口罩分别使用易起雾等问题,这款新型面罩可以很好地解决佩戴困难,减少护目镜与皮肤的摩擦,避免长时间佩戴使面部受损等问题。另外市面为花粉性过敏患者研制的防具较少,因此设计了一款新型的防飞溅物感染并同样适用于花粉过敏人群的面部防护装置。在面罩连接处、面罩材质等方面进行了改进,引入鼻罩与护目镜结合。同时,也考虑到视力矫正方面的部分群众需求,该护具提供各种配镜设施,保证面罩安全性,增加面罩的透气性。  相似文献   
59.
以纳米机器人等智能器件中的功能梯度纳米板结构为研究对象,基于非局部应变梯度理论,研究了其弯曲和屈曲问题.推导了一般情况下的功能梯度纳米板运动方程,弯曲和屈曲作为其特例可简化而成.分析了非局部尺度参数、材料特征尺度参数、梯度指数、纳米板尺寸等对弯曲挠度和临界屈曲载荷的影响.结果表明:不同高阶连续介质力学理论下的最大挠度都随梯度指数的增大而增大,正方形纳米板挠度较小,且板厚越大,弯曲挠度越小;最大挠度随非局部尺度参数的增大而增大,随材料特征尺度参数的增大而减小.临界屈曲载荷随梯度指数的增大而减小,随板厚、长宽比的增大而增大,随非局部尺度的增大而减小,随材料特征尺度的增大而增大.非局部应变梯度高阶弯曲和屈曲中存在结构软化与硬化机制,两个内特征参数之间具有耦合效应,当非局部尺度大于材料特征尺度时,非局部效应在功能梯度纳米板力学性能中占主导作用;当材料特征尺度大于非局部尺度时,应变梯度效应占主导作用.解析结果还证明了当非局部尺度等于材料特征尺度时,非局部应变梯度理论结果退化为经典结果.  相似文献   
60.
通过建立物理模型,用一维三温拉氏磁流体力学程序分析了由强电流(MA)脉冲驱动的金属套筒内爆压缩磁化等离子体的升温点火及能量增益过程。分析了脉冲驱动的金属套筒内爆、不同驱动源对金属套筒内爆升温的影响、Z箍缩过程中内嵌磁场和预加热温度对磁化等离子体升温的影响,以及点火需要的初态参数和点火后的能量输出。此外,对该过程中磁场增加粒子能量沉积、降低电子离子热传导能量损失的物理机制做了介绍和分析。磁流体数值模拟结果显示:当初始的内嵌磁场和燃料的预加热温度分别取5 T和250 eV时,即可获得超过4 keV的升温,初始参数包括内嵌磁场、预加热温度、燃料密度、套筒尺度、驱动脉冲幅值、加载时间等。在一定的条件下,点火成功,可产生kT量级的强磁场,并获得百kJ/mm量级的能量输出。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号