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扫描电子显微镜与扫描隧道显微镜联用装置 总被引：2，自引：0，他引：2
在ＫＹＫＹ－１０００Ｂ型扫描电子显微镜上所开发的与其联用的袖珍型扫描隧道显微镜主要有四个部分：（１）减震阻尼装置,（２）隧道探针,（３）探针扫描与逼近装置,（４）电子控制与图象采集系统。它的分辨率约为１ｎｍ,并用它观察了半导体光栅与硅上金膜的细微结构。 相似文献
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为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在 相似文献
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在分子束外延的半导体材料中,普通存在着所谓卵形缺陷。其密度可以达到10~4/cm~2以上,而其尺寸也可以大到100μ~2。这对电子器件的制作,势必有极大的影响。所以对这类缺陷本质的分析和研究,对分子束外延材料质量的提高,具有一定的实际意义。样品是分子束外延的不掺杂的Ga_(1-x)Al_xAs,厚度约1μm。衬底为半绝缘砷化镓。实验是在JXA-3A电子探针x-射线显微分析仪上进行的。在测定组分的同时,也进行了阴极荧光形貌和阴极荧光光谱的测量。结果如下:1.Ga_(1-x)Al_xAs的x-值与阴极荧光光谱的关系: 相似文献
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研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制. 相似文献
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