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241.
242.
大庆渣油族组分非等温热反应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用动态热重分析法在升温速率为6.2K·min ̄(-1)及惰性气流量100cm ̄3·min ̄(-1)的条件下,对大庆渣油族组分的热转化行为进行了考察,获得了族组分的热转化速率峰值、速率峰值处的反应温度、转化率和剧裂分解温度区间等动力学基本数据以及各族组分的生焦性能。数据分析表明,族组分的热反应活性顺序为:饱和分>胶质>芳香分>沥青质。在大庆渣油族组分热转化的两个温区内,采用分段一级动力学模型较好地拟合了实验数据,确定了各族组分在两个温区内的热反应动力学参数。 相似文献
243.
植酸与稀土元素的固态配合物的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
植酸(PllytiC。Cid)又称肌醇六磷酸酯(myo-iflOSitdhX。hSPhOSPh。ie)(简写为H12lHP]常以钙、镁复盐(菲汀Phntin)形式存在于植物中,尤其在谷类和植物的种子中含量较高['j.植酸具有惊人的骛合能力,除碱金属外几乎能与所有金属离子生成沉淀,一些高价金属离于甚至在强酸性介质中也可定量沉淀[如Ti、Zr、Hf、Th、Ce(IV)和In、Sc等〕,这些性质已初用于Th'"的定量测定L'和SC'"的分离提取「",Gd'"与植酸的配合物被用作核磁共振成倍(MRI)的对比剂['j.然而,对有关配合物的固态组成及性质研究尚无文献报道.本文… 相似文献
244.
245.
1,3,4,6—四硫代戊搭烯—2,5—二酮制备含硫取代基的四硫富瓦… 总被引:3,自引:0,他引:3
以1,3,4,6-四硫代戊搭烯-2,5-二酮为原料,经偶联,醇解,烃化或醇解,烃化,偶联等步骤,制得四甲硫基四硫富瓦烯,四乙硫基四硫富瓦烃,二喹喔啉硫醚,4-甲硫基-5-甲氧甲酰硫基-1,3-二硫环戊烯-2-酮。四甲基乙烯和4,4'-二甲硫基-5,5'-二甲氧甲酰硫基四硫富瓦烯及它的异构体混合物,提出了1,3,4,6-四硫代戊搭烯-2,5-二酮醇解机理。讨论了未得到某些预期产物的原因,报道了3种四 相似文献
246.
ΔrGm是物理化学中常用的重要物理量,在相应的教材中都有一定的介绍。本文从范霍夫反应等温式出发,经简单的处理,清晰地揭示了ΔrGm的涵义:在有限体系内化学反应的ΔrGm是由两种因素贡献的,即等温等压下发生的纯化学反应的ΔrG m及等温等压下产物与反应物的混合引起的ΔmixG相迭加的结果,且后者是随反应时间不断改变的。 相似文献
247.
近年来 ,自组装及其形成的多层复合膜已经在导电、生物传感器及非线性光学等领域得到深入研究 ,特别是以聚阴离子与聚阳离子相互作用的静电自组装研究更为深入 .这一技术制备方法简单 ,无需特别的设备 ,对膜层厚度能随意调控 ,并以水作为介质 ,对环境无害 [1~ 3] .共轭高分子 (如聚苯胺、聚吡咯及聚苯亚乙烯等 )通过自组装形成共轭高分子膜 ,对制备具有导电、光电和传输等功能的薄膜半导体器件具有重要意义 .聚乙炔类是最早被发现且理论与应用研究最多的一类共轭高分子材料[4 ,5] .本文以聚 ( 4 -羧酸苯基 )乙炔 ( PCPA)为聚阴离子 ,以重… 相似文献
248.
249.
在激光装置实验中,通过小孔成像原理可获取黑腔靶中发射的X光图像的时间积分。提出一种3倍放大的新型成像设备用于集束实验,通过在与靶轴线夹角30°方向安装带多层镜选能的成像设备从而获取低能和高能段的X光时间积分图像,观察腔壁的再辐射现象。开展了用于集束实验针孔相机的研制工作,包括光路设计与结构设计,通过离线进行测试,在线实验进行打靶考核。进行成像光路仿真,模拟计算了两种镜子的选能效果,并通过光路仿真得到了多层镜、滤片和谱分布对成像结果的影响。采用FLASH对实验辐射场分布进行仿真,作为成像仿真的输入。最后,将此设备获取的成像结果与仿真计算得到的结果进行比较,实验结果与仿真结果基本一致,得到了X光信号强度的分布情况,获取了理想的实验数据,加深了对内部物理现象的理解。由此,建立了针孔成像的仿真能力,能够对成像结果进行预判,指导针孔相机的设计。 相似文献
250.
为得到卫星搭载的高速跨阻运算放大器在星载环境中长时间工作后的性能变化情况,对3款增益带宽积大于1GHz的高速跨阻放大器芯片关键特征参数的电离总剂量损伤特性及变化规律进行了试验研究。辐照试验在60Co γ射线源上采用高温加速评估的方法完成,辐照到放大器芯片上的剂量率为0.3~0.5Gy(Si)/s。分析了放大器芯片输出偏置、输出噪声和带宽等关键电参数在辐照前后及高温(85℃±6℃)退火前后的特性,讨论了引起电参数变化的机理。结果表明,经过两轮150Gy(Si)剂量辐照及高温退火后,放大器芯片的输出偏置和输出噪声水平无明显变化,时域脉冲响应正常,-3dB带宽减小了3%左右。带宽为3款高速跨阻放大器芯片的辐射敏感参数,其变化与电离辐射在SiO2/Si界面引起正电荷建立和界面态直接相关。辐照后的芯片仍然能够满足高带宽测试情况下的需求,150Gy(Si)为电参数和功能合格的累积剂量。 相似文献