40Gb／s传输系统的解决方案及应用前景分析

全面的阐述了40G传输系统的技术挑战，关键技术及解决方案，给出了40G传输系统在两种应用模式下的实验结果和商用化进程，并对两种应用模式的传输性能进行了比较。在此基础上，最后分析了40G传输系统的应用现状，商用化关键问题以及应用前景。     

EPON面临的新挑战：多业务支持与安全性研究

IP技术的发展，产生了大量以以太网技术为基础的接入技术。EPON就是其中之一，并且以其综合的优势被寄予厚望，被认为是解决宽带接入“第一公里”瓶颈的最佳方案。然而随着EPON标准化进程的推进，也显现出一些意想不到的问题。由于EPON是基于Ethernet的，在传输实时业务方面带来了不少麻烦。同时EPON采用共享型的拓扑和下行数据广播方式，不可避免地面临安全性问题。本文着重分析EPON所面临的两大主要问题：多业务支持和安全问题；并在此基础上提出解决这些问题的初步构想。     

采用DDS来实现高速短波差分跳频

文章主要介绍了一种实现高速短波差分跳频的方案。此方案是采用DSP和DDS来实现的。文中讨论了方案的技术关键、高速差分跳频的硬件结构和软件设计。     

基于水印的图像认证和完整性保护技术

数字水印技术的发展为解决图像认证和完整性保护问题提供了新的思路。对用于篡改检测和图像认证的水印技术做了综述。数字水印技术根据其识别差错的能力分为四种类型:易损水印、半易损水印、混合水印和自嵌入水印。最后还对水印认证技术的安全性问题进行了讨论。     

蓝牙与IEEE802.11g系统的共存

蓝牙与IEEE802.11g无线局域网(Wireless Local Area Network,WLAN)都工作在2.4GHz频段上,因此它们之间存在一定的干扰。分析了蓝牙与IEEE802.11g通信系统之间的干扰,并提出了解决这一问题的两种方法:自适应跳频和删除标记法,并对两种方法的性能做了比较。     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

An Improved Immune Genetic Algorithm for Solving the Optimization Problems of Computer Communication Networks

1　IntroductionIndesigningacomputercommunicationnet work ,thenetworkaveragedelayisanimportantpa rameterinthenetworkperformance .Inthispaper,weonlyconsiderM /M/1networks,whichmeansthatthemessageprocessingtimeisaprobabilisticdensityfunctionwithnegativepower,thegroupar rivalandsendingisofPoissiondistributionwithasinglequeue .Supposethatthenetworktopologicalstructureandtheestimatesoftheexternaltrafficrequirementsaregiven ,howtoselecttheoptimalroutestobeusedbythecommunicatingnodesinthenetworksoast…     

基于SIP的宽带实时多媒体通信研究与实现

介绍了会晤创建协议(SIP)，提出了基于SIP的应用系统——SRMCS，针对该实时多媒体通信系统，分析了其音频模块的实现和背景噪音的处理、视频模块的实现和视频的流畅播放，并就实时多媒体通信系统的关键问题——视、音频同步给出了可行的解决方案，最后还探讨了本系统中信令流和媒体流的传输方式。     

基于单端开路系统函数的介质振荡器的设计

介绍了X波段的介质谐振腔稳频的振荡电路的理论分析和数值仿真设计.振荡器由高介电常数的介质谐振腔形成的反馈回路和单端开路负阻振荡器构成.谐振腔的设计可以用一个简单的传输线型的模型进行仿真,使得理论分析得以试验的证实.电路的仿真结果和测试结果吻合良好,其工作在10.576GHz,输出功率在16dBm,这种振荡器可以应用在很多微波系统.     

电力半导体模块新趋势

一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件，目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。