基于四值脉冲参数模型的单粒子瞬态传播机理与软错误率分析方法

随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现：脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS89及ISCAS85电路进行分析的实验结果表明：该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。     

层叠式“产生/判别”混合模型的语音情感识别

提出了层叠式“产生/判别”混合模型的语音情感识别方法。首先,提取63维语句级特征,运用Fisher从中选择12个最佳的语句级特征,建立小波神经网络(WNN)的层叠式产生式模型进行语音情感识别;然后提取69维帧级特征,采用SFS选择出待使用的8维特征,将高斯混合模型(GMM)进行多维概率输出,建立层叠式“产生/判别”混合模型进行语音情感识别。实验结果显示:(1)层叠式“产生/判别”混合模型较单独WNN、GMM、HMM (隐马尔可夫模型)、SVM (支持向量机)的识别率要高;(2)层叠式“产生/判决式”混合模型识别率较基于WNN的层叠产生式模型高;(3) M=13,D维GMM-MAP/SVM (MAP,最大后验概率)串联融合模型为最优的层叠式“产生/判别”混合模型,能获得最高85.1%的识别率。     

基于数据关联处理的重频参差雷达信号分选方法

该文针对电子侦察信号盲分选的技术难题,结合重频参差调制模式的特点,提出基于数据统计聚类和关联匹配的处理方法,对序列中含有重频参差调制的脉冲进行调制模式识别、参差序列分析和脉冲提取。实验仿真表明在脉冲丢失和虚假脉冲干扰的情况下,所提方法可以有效进行重频参差模式识别和参差排定次序分析,实现脉冲信号的盲分选,具有较强的鲁棒性。     

基于微控制器的AES激光注入攻击研究

密码设备面临故障攻击的威胁,针对密码芯片的故障攻击手段研究是密码学和硬件安全领域的重要研究方向。脉冲激光具有较好的时空分辨性,是一种准确度较高的故障攻击手段。该文详细描述了激光注入攻击的原理和方法,以集成AES-128算法的微控制器(MCU)为例实施了激光注入攻击实验。实验以微控制器的SRAM为攻击目标,分别成功实现了差分故障攻击和子密钥编排攻击,恢复了其16 Byte的完整密钥,其中后一种攻击是目前首次以激光的手段实现。研究表明,激光注入攻击能准确定位关键数据存放的物理位置,并能在任意的操作中引入错误,实现单比特的数据翻转,满足故障攻击模型的需求。激光注入攻击能在较短时间内完成自动攻击和密文收集,攻击过程贴近真实场景,对密码芯片具有极大的威胁。     

无空洞真空共晶技术及应用

在采用功率芯片集成产品时,往往要求热阻小,可靠性高.在这方面,真空共晶技术与传统的芯片贴装方法如环氧粘结或者手动氮气保护共晶技术相比更具优势.分析了真空环境对共晶焊接的影响,同时对影响真空共晶焊接的工艺因素进行了剖析,通过这些因素的控制,可以得到无空洞的焊接.同时给出了真空共晶技术可能的应用.     

电信运营企业项目融资初探

通过对电信运营企业多渠道融资的必要性的阐述,论证了项目融资是电信运营企业可选的一种融资方式,并有针对性地提出了电信运营企业实施项目融资的模式及应注意的问题。     

硫化氢气体检测方法及其传感器研究发展现状

本文对硫化氢气体检测的常用方法及其原理,包括碘量法、亚甲基蓝分光光度法、汞盐滴定法、电化学方法、气相色谱法和吸收光谱法,并对三类硫化氢气体传感器(金属氧化物吸附传感器、电化学传感器及基于光学原理的传感器)的研究发展现状作了综述。对各类型的硫化氢传感器的优缺点和局限性作了简要评述,并对其今后的发展趋向进行了预测(引用文献55篇)。     

国产化楔形焊接劈刀的考核验证方法

楔形焊接具有焊接密度高、焊点尺寸小的特点,适用于金丝深腔焊接,其高频段寄生效应相对较小,广泛应用于微组装领域。目前,锲形劈刀全部依赖进口,随时面临断供的风险,国产化研发需求迫切。结合国内劈刀研发现状,同步开展国产化楔形劈刀的考核验证工作,研究其考核验证方法,使国产楔形劈刀快速应用在微组装工艺领域中。     

激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究

互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10~4 W/cm~2;并发现在工作电压3.3和3.6 V,光功率密度1.9×10~6—1.6×10~7W/cm~2的辐照下,闩锁电流发生了明显的降低,即出现了闩锁电流的"窗口现象"基于闩锁等效电路模型,利用多路径闩锁机制,构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明:激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致,其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换,从而诱发这一现象.