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931.
nc-SiC/SiO_2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si—O相关的缺陷形成的发光中心。 相似文献
932.
用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。 相似文献
933.
934.
935.
936.
可靠性预计及其准确性 总被引:2,自引:0,他引:2
张增照 《电子产品可靠性与环境试验》2005,23(Z1):43-46
针对可靠性预计准确性的争论,分析了可靠性预计的方法及标准的数据内涵,指出由于预计手册表征的是不同国家、地区的元器件可靠性水平,根据不同的预计方法(手册)来预计同一设备,因结果不同而得出可靠性预计不准确的结论是不妥当的.验证一个预计手册是否准确的唯一标准是被预计设备的现场MTBF值是否同预计值接近.影响预计准确性的因素包括预计手册本身的准确性、预计标准选取的合理性、预计数据的真实性、预计技术的准确使用等.在可靠性预计中,要正确地认识可靠性预计与其它可靠性工作的关系,不能把可靠性预计的作用同其它可靠性分析方法的作用相混淆;要客观地认识可靠性预计的局限性,认真区分预计误差与预计错误,不可以偏概全. 相似文献
937.
938.
939.
940.
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。 相似文献