同步电机定子绕组不对称状态的分析方法——Ⅱ.参数的计算方法

参数计算是分析电机绕组不对称状态的关键问题。用多回路法分析同步电机定子绕组不对称状态时所用的参数,与绕组正常时的参数不同,它包括定子绕组每个支路、转子各阻尼回路和励磁绕组的自感系数和互感系数。定子支路参数可以由单个线圈参数组成。本文在考虑铁心饱和的情况下,研究了参数计算的两种方法,即气隙磁导分析法和磁场数值分析法,并将它们应用于实际电机的计算,验证和比较了两种计算方法。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

不确定信息处理及在归纳学习中的应用

信息的不确定性是由于模糊性、随机性、不完全性、不精确性等因素造成的,不确定性信息在现实世界中广泛存在.关于这方面的研究主要集中在模糊性这种不确定性上.我们课题组在此领域的研究已经持续20余年,概括起来讲,早期的研究兴趣在于模糊(非可加)测度与积分的理论建立,主要研究了传统的可加测度与积分理论到非可加情况的推广;尔后的兴趣转向为如何用数值方法确定非可加测度;近期的研究兴趣在于从已有数据中获取模糊控制规则以及具有模糊表示的归纳学习问题.近10年的研究曾得到了多项基金项目资助,出版专著3部,发表学术论文100余篇,30余篇被SCI收录,20余篇被EI收录,省级以上奖励3项.以下是我们近期研究工作的一个总结,主要包括模糊决策树归纳;基于模糊信息的决策表简化;产生模糊规则的扩张矩阵算法;模糊归纳学习在其他领域中的应用;基于示例学习的模糊控制等.     

电感耦合等离子体质谱法测定金银花中6种有毒元素

建立电感耦合等离子体质谱法同时测定金银花中铅、镉、铬、镍、铜、砷6种有毒元素含量。采用微波消解法进行前处理,以钪、铟、铋3种元素作为内标物,用电感耦合等离子体质谱法对50批金银花样品中铅、镉、铬、镍、铜、砷6种有毒元素含量进行测定,以内标法定量,并应用SPSS软件对测定值进行统计学分析。6种有毒元素的质量浓度在0~300μg/L范围内线性良好,相关系数均不小于0.9997。6种有毒元素的检出限为0.003~0.020 mg/kg,样品加标回收率为80.0%~111.0%,相对标准偏差为0.71%~3.82%(n=6)。50批金银花样品中共计有14批样品有毒元素含量超出2015年版《中华人民共和国药典》规定,超标率为28%。聚类分析将50批样品分为3大类。该方法操作简单,灵敏度高,专属性好,可准确快速地同时测定金银花中多种有毒元素含量,可作为中药材品质及安全性监管的技术手段。     

研究生数学建模教学方法分析

面向研究生开设数学建模课程,可以提高研究生的培养质量,增强研究生开展高水平科研工作的能力．为了实现这些目标,数学建模教学需要兼顾基础方法的介绍和提供足够的深度、广度．本文主要介绍我们对研究生数学建模教学思路的一些认识,并给出了两个教学案例．     

Photoluminescence Characterization of Silicon Nanoparticles Hybridized Europium Complex

A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions.     

脉劝流条件下血管壁的应力分布

为了分析血液-血管耦合运动所产生血液脉动压力载荷对血管壁应力分布的影响,利用线性化的血液-血管耦合运动方程的Womersley解,导得血液脉动压力载荷下的血管壁Green应变,同时利用Fung的血管壁应变能密度函数,导得相应血管壁应力分布的一般表达式.数值结果表明,在脉动流条件下,当考虑血液-血管耦合运动时,血管壁中周向应力最大,轴向应力居中,径向应力最小;血管壁的残余应力将明显减小血管内壁的应力集中;脉动压力载荷将导致血管壁周向应力在一个心动周期中随时间的脉动,而且随着Womersley数α和血管轴向约束参数K～＊的增大,血管壁周向应力的脉动将明显加剧,提示在分析动脉重建时必须计及血液-血管耦合运动对血管壁应力分布的影响.     

Na_2ZnCl_4·3H_2O:Mn~(2 )电子顺磁共振参量与晶格缺陷研究

假设在晶体Na_2ZnCl_4·3H_2aO:Mn~(2 )中,处于C_3轴上的一个Cl~-被一个O~(2-)取代,形成MnOCl_3基团,利用对角化能量矩阵的方法,计算了该晶体的电子顺磁共振(EPR)参量D,(?)和g(?)因子,以及单轴压力效应dD/dp和da/dp,得到与实验一致的结果,表明上述假设是合理的.     

GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向     

基于临界电子密度的多载波微放电全局阈值分析

多载波微放电即发生在宽带、大功率真空无源微波部件中的二次电子倍增放电现象, 是影响空间和加速器应用中无源微波部件长期可靠性的主要隐患. 多载波微放电全局阈值功率的预测对于工作在真空环境中的微波部件至关重要, 但迄今尚无有效方法进行上述阈值的准确分析. 本文将微放电发生过程中二次电子分布区域等效为等离子体, 通过在理论上建立微波部件的电磁特性和电子密度间的对应关系, 提出了一种基于测试系统可检测水平的多载波微放电全局阈值功率分析方法. 为了能够通过蒙特卡罗优化方法得到全局阈值, 进一步基于电子加速的类半正弦等效, 提出了微放电演化过程中电子数涨落的快速计算方法. 基于以上两种方法得到的针对实际微波部件的全局阈值分析结果与实验结果相符合. 不同于传统基于多载波信号功率分析的经验方法, 本文基于临界电子密度判断依据和电子数涨落快速计算, 为多载波微放电全局阈值的准确预测提供了一种高效的分析方法.