Co@NC选择性催化木糖氢解制备1,2-二元醇

本研究采用bottom-up法,制备了具有加氢和异构活性的碳包裹金属催化剂Co@NC,用于催化木糖氢解制备1,2-二元醇.结合XRD、TEM、XPS等表征手段对比了不同焙烧温度制备的Co@NC催化剂的物理和化学性质.研究发现,600℃焙烧的Co@NC催化剂具有最高的二元醇的总收率(70.1％),其中,乙二醇、1,2-丙...     

微多晶硅梁开关振荡器

本文提出了一种新型的多晶硅梁微静电开关结构,并在考虑硅梁固定边张力的情况下对多晶硅梁的受力弯曲、静电吸合等情形进行了有效的静力学理论分析。 利用微静电开关的充电吸合、放电弹开这一电、机过程,本文还实现了一种成本极低的微硅梁静电驱动振荡器。初步研究结果表明,硅梁的振动频宽大约为2.1kHz,振动幅度较小,振动平衡点在下电极附近。     

（100）Si在KOH中各向异性腐蚀的凸角补偿新方法

本文对Ｇ．Ｋ．Ｍａｙｅｒ等人提出的，用（１００）条对（１００）Ｓｉ凸角补偿的方法进行了深入研究，指出了该方法在腐蚀槽较窄时的局限性，在此基础上提出了一种改进的新方法，并给出了理论分析及实验结果．     

考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析

本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。     

漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究

本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化,实验结果还证实,漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。     

MOS器件三维数值模拟

<正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具.     

MISIS结构的电特性和C(V)研究

通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的MISIS结构进行模拟,研究了表层硅厚度对该结构中电势分布和载流子浓度分布的影响.模拟结果表明:在加栅压V_G时,表层硅中同时存在一个耗尽区和积累区,在耗尽区和积累区中间至少存在一个电中性点.在表层硅厚度大于相应的最大耗尽层宽度的1.6倍时,表层硅厚度对MISIS结构性质无影响.本文还从理论上推导出厚表层硅情况下的MISIS结构理想C(V)关系,并得到与实验相符合的结果.研究结果表明:C(V)特性对于研究MISIS结构中的参数,具有分析一般MIS结构相同的功能.     

氮离子注入形成Si_3N_4埋层构成的SiO_2/Si/Si_3N_4/Si多层结构的研究

本文通过 C(V)特性测定、扩展电阻测定及 TEM实验研究了SiO_2/表层硅/Si_3N_4/体硅多层结构各界面的性质、结构随热处理的变化等,并在此基础上提出了这一系统的纵向结构的图象.     

集成压力传感器制造技术

<正> 一、引言 硅压力传感器已被广泛用于汽车、控制及生物测量等领域。由于工艺难度大,压力传感器的应变膜尺寸通常大于1×1mm。膜主要用各向异性腐蚀技术形成,需从硅片背面减薄,这样就需要双面光刻。为提高精度,必须增加特殊设备。而这一工艺有明显的不足,与IC工艺兼容性差,硅片利用率低,对制造大规模集成压力传感器,高密度的压力传感器阵列有一定困难。     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。