高调节范围RFMEMS压控电容的设计与模拟

对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析，提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容，它的特点在于使用了三对极板，其中的一对是电容极板，另外两对是控制极板，电容极板用于传输交流信号，而直流控制电压施加在控制极板上，使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真，得出其调节范围高达214％，大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50％)，设计了该电容的工艺流程，其工艺流程比较简单，很容易集成在标准的CMOS集成电路中。     

用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容

在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上。使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214％,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50％)。另外,设计了该电容的工艺流程。其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中。     

Solving Schrodinger Equation with Non-Uniform Grids by Scale Transformation Method

Quantum Mechanical Effects(QMEs) in MOSstructures are well-known in the deep-submicron ULSI device characterization[1— 3] .Rigorous study of QMEs in the MOSinversion and accumulation layer requires self-consistent solution to Schrodi...     

快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究

本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。     

硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究

采用溶胶－凝胶（Sol-Gel）法制备了PZT薄膜,在600℃的退火温度下即获得了晶化完善的钙然矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺,利用HCl/HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的PZT薄膜微图形。较好的解决了有关PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。     

Bifurcation of a periodic instanton and quantum－classical transition in the biaxial nano－ferromagnet with a magnetic field along hard axis

Crossover from classical to quantum regimes of the barrier transition rate in a biaxial ferromagnetic magnet with a magnetic field applied along hard anisotropy axis is investigated. We show that the type of action-temperature diagrams can he determined by counting the number of bifurcation points. The model possesses not only the known type I and Ⅱ, hut also the interesting type Ⅲ and Ⅳ of transition which do not occur in general.     

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ电路设计所必需的．在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的解析模型,模型公式简单．对模型进行了验证,研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响,并分析了模型中拟合因子的物理意义．     

Analytical Charge Voltage Model in MOS Inversion Layer Based on Space Charge Capacitance

The2 -Dimensional nature of the inversion layer carrier in MOS structure is well-known[1 ,2 ] and the Quantum Mechanical Effects(QMEs) on MOS structure' s behaviorhave been extensively studied by numerical survey by self-consistent so...     

MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行MOSFET电路设计所必需的.在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米MOSFET衬底电流的解析模型,模型公式简单.对模型进行了验证,研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响,并分析了模型中拟合因子的物理意义.     

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究

以无机锆盐为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用,其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性,介电步率响应,漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。