应变p型Si1-xGex层中载流子冻析

本文用解析的方法研究了应变Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中载流子冻析现象，研究发现，用Ｓｉ归一化的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带有效态密度、随ｘ的增加而减小，而且温度Ｔ越低，随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少的速度越快，与Ｓｉ相比，常温下Ｇｅ组份ｘ几乎对电离 杂质浓度没有什么影响，而在低温下，随Ｇｅ组份ｘ的增加，电离杂质浓度随之增加，载流子冻析减弱，这对低温工作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件有利。     

电子元器件加速寿命试验方法的比较

加速寿命试验作为可靠性试验的一个组成部分,是控制、提高电子产品可靠性的常用方法.目前有三种加速寿命试验方法:恒定应力、步进应力和序进应力加速寿命试验.简要介绍了加速寿命试验的概念,举例说明这三种方法的实施方案及数据处理,从实际操作角度比较了三种方法的优、缺点,并对其应用情况做了介绍.     

用加速试验评估器件长期贮存寿命的研究

电子元器件长期贮存条件下,主要受到温度、湿度、盐雾气氛等环境应力影响而失效.而将这些影响因素扩大来快速评价器件的长期贮存可靠性是目前器件可靠性研究的重点之一.本文给出了几种常用的加速应力模型及其适用条件.     

基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命

对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程中,SBD的,IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而Rs则缓慢增加.综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的,IR作为失效判据.基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107 h,测试结果与实际预测相符.     

一种光电探测器激光损伤阈值的测量方法

介绍了光电探测器激光损伤的判别方法,设计了一套测量光电探测器激光损伤阈值的试验方案,并对试验测量中可能出现的测量误差进行了定性分析。     

突发动态扩频信号的快速跟踪解调技术

为达到增强信号抗干扰、信息抗截获能力以及增加用户端容量的目的,在某些系统中采用了突发扩频信号来实现信息的无线传递,由于发射信号的可用引导信息非常短,且移动用户的使用会引入较大的动态,因而增加了信号接收处理的难度,实现快速的跟踪解调处理也因此成为接收端信息恢复的关键环节。采用多假设并行匹配和最小二乘估计技术的融合处理可以有效解决该问题。通过开展相应的试验,证明了该处理方法的有效性,可直接在实际工程中应用。     

基于特征点匹配的图像配准算法精度提升方法研究

图像配准是多种图像后续处理的基础,较为常见的有图像融合,图像拼接、图像的三维重建等,这些后续操作都需要在一个好的配准前提下才能完成,因此,对于图像配准精度改进的研究具有很重要的实际应用价值。对基于特征点匹配的图像配准算法提出了几个配准精度提升的方法,这些方法分别针对特征检测精度的提升和特征匹配精度的提升来达到图像配准精度提升的目的。     

加速试验中失效机理一致性的判别方法

通过对电子器件加速试验失效模型--Arrhenius模型的研究,发现加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验失效机理一致性的判定方法.对样品3DG130进行了150～310℃的序进应力加速试验,快速得到了失效机理一致的应力范围,验证了该方法的可行性.     

多芯片组件的三维温场有限元模拟与分析

针对双列直插封装的大功率MCM，建立了简化的热学模型；利用有限元数值方法，在ANSYS软件平台下，对其三维温场进行了稳态模拟和分析。模拟结果与测量值的误差为4．5％，表明设定的模型与实际情况符合较好。模拟结果表明，对于金属DIP封装的MCM，内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递。     

GaN基p-i-n结构紫外光探测器

用反应分子束外延(RMBE)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN p-i-n结构,应用常规的半导体工艺制成了紫外光探测器,测试结果显示其正向导通电压为4.6 V,反向击穿电压大于40 V;室温下反偏3 V时的暗电流为6.68 pA,峰值响应度0.115 A/W出现在367 nm处;400 nm处的响应度为6.59×10-5A/W,比峰值响应度低四个量级.