高职院校"互联网+"混合式教学模式实践研究

本文首先对高职院校教育教学过程中存在的问题进行阐述,然后分析高职院校互联网+混合式教学模式设计思路,最后提出相关改进措施,旨在为促进我国高职院校教学模式改革提供参考.     

回流加固结构金属化系统的可靠性测试

结合器件具体结构和工艺,在回流效应理论和实验研究的基础上优化设计了回流加固结构。产一套和地回流加固结构样管进行了电热加速应力试验,考核了不同结构的加固效果及抗热电迁徒性能,优选了最佳回流结构。     

退火温度对铝互连线热应力的影响

采用二维面探测器X射线衍射（XRD）测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力. 沉积态Al线均为拉应力，且随膜厚的增加而减小. 沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力，表面法线方向应力最小. 250℃退火2.5h后，互连线在各方向上的应力都减弱，其中1μm Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线. 采用电子背散射衍射（EBSD）方法，测量退火前后Al互连线(111), (100), (110)取向晶粒的IQ值. 退火后平均IQ值提高，互连线残余内应力随之减小. EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.     

多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响

在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

VLSI中的Al金属化系统

扼要介绍了Ａｌ在ＶＬＳＩ的作用及要求。指出了随着ＶＬＳＩ的发展，由Ａｌ金属化电迁徙引起的失效将成为影响ＶＬＳＩ可靠性的主要失效机理，并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出，随着Ａｌ金属化系统抗电迁徙性能的提高和新结构、新工艺的出现，Ａｌ在ＶＬＳＩ金属中的地位将会得到进一步的确认。     

双极型微波器件失效分析与改进

针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散、Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。     

用AAO为模板组装磁性金属Ni纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积的方法,制备了磁性金属Ni纳米线阵列。选用SEM、TEM、XRD等测试手段,对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:制得的Ni纳米线阵列排列规整、长度一致、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,而且是结构紧密的多晶体。研究了电沉积时间对Ni纳米线长度的影响,发现电沉积时间应不超过15h。     

多芯片组件MCM的失效率预计研究

通过对多芯片组件(MCM)的结构、失效模式和机理的分析,提出了适合我国生产实际的MCM失效率预计模型.采用加速寿命试验和点估计法获得了膜电阻的基本失效率λRT和布线与工艺基本失效率λC;并采用极限应力对比试验获得了层间系数πcp.     

Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究

对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ、Ａｎ和ＧａＡｓ的互扩散。