基于激光散射特征的飞行目标羽烟探测跟踪技术

对飞行目标羽烟成分及其激光散射特性进行了概要性介绍,对其在大气背景中的探测跟踪可行性进行了计算分析,针对飞行目标探测跟踪技术提出了新的技术思路,并对其实际应用进行了分析论述。     

Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究

本文对电迁徒参数电流密度因子ｎ及ｎ值的精确测量技术进行了深入研究。首镒提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法。该方法与传统的ＭＴＦ法不同,利用专门设计的实验系统和实验样品,精确控制实验金属条湿,消除了高电流密度条件下焦耳热的影响,提高了ｎ值的测量精度与速度．     

动态海面红外视景仿真研究

动态海面红外视景仿真在战场红外视景重构以及红外跟踪制导装备研究方面有着极其重要的作用.为提高海面红外仿真效果,采用Gerstner波进行海浪波面建模,采用基于PM谱和SWOP方向扩展函数的海浪方向谱进行波面参数计算,根据海面辐射特性进行海面红外辐射效果模拟,实现了动态海面高逼真度红外视景仿真.仿真结果表明,该方法符合实际情况,具有较高的应用价值.     

国产晶体管的长期贮存可靠性

测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%.存贮29年的3DG101F,7只中有3只hFE的减小超过-30%,占该批晶体管43%,hFE最大退化从110减小到73,退化率为-34%.年均退化率-1.2%.存贮30年的J3AX54B hFE增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%.年均增加0.4%.测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;hFE值即有增加,也有减小.     

ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性

观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向.分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响.Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小.与平坦Cu膜相比,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111) 织构.300℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111) 织构发展,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力.结果表明,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散,而对于较窄线宽的Cu互连线,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径.     

带有台阶电极结构和TiN阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管

本文描述了一种具有台阶电极结构和ＴｉＮ扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管，将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进行了比较讨论，这种新式结构可使微波器件获得更好的性能，由于大功率器件带有梁式引线金属化系统，Ａｕ－Ｓｉ反应及局部铂硅化合物的生长是其主要的失效机理，为了减少上述缺陷，Ｔｉ层必须加厚。同时，进一步讨论了ＴｉＮ在梁式引线金属化系统中的应用，高温长期工作实验结果证明，将台阶式电极结构     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

Arrhenius 程应用新方法研究

提出了一种快速评价电子元器件的新方法,该方法具有快速、准确、成本低、效率高等优点.利用Arrhenius方程,能快速准确地确定元器件退化的失效敏感参数和退化机理;可对单样品求出与失效机理相关的失效激活能和寿命;通过多样品试验,可得到寿命分布、寿命加速特性和失效率等可靠性参数.以DC/DC电源变换器和高频小功率管3DG130为例,通过实验与现场数据的对比,证明了新方法的正确性和有效性.该方法适用于失效率优于10-7/h(λ＜10-7/h)的高可靠性产品的定量评价.     

基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响

由于发射结（ＥＢ结）价带存在着能量差ΔＥｖ,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给ＨＢＴ设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退桦了频率特性,特别是在低温下更为严重。