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131.
高等院校《操作系统》教学改革的探索与实践 总被引:1,自引:0,他引:1
一个完整的计算机系统是由硬件和软件2大部分组成的.硬件是指计算机物理装置本身,而软件是相对硬件而言的,他是与数据处理系统的操作有关的计算机程序、过程、规则以及相关的文档资料的总称.在所有软件中,操作系统占有特殊的重要地位,他是配置在计算机硬件之上的一层软件.他控制硬件的工作,管理计算机系统的各种资源,并为系统中各个程序的运行提供服务.在高等院校的计算机专业以及一些相关专业中,都将操作系统作为一门非常重要的专业课程来开设.本文对高等院校〈操作系统〉课程的教学进行探索与实践. 相似文献
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作者用锁模Nd~(3 ):YAG激光的二次谐波激励LiNbO_3晶体制作参量振荡器。在625毫微米~3.6微米的范围内得到了波长可变的微微秒光脉冲。利用这种参量输出光产生的二次谐波和输出光或它的二次谐波及Nd~(3 ):YAG激光的基波和二次谐波混频的方法得到了从近紫外到近红外范围内可变的微微秒相干光,重复频率达到了10次/秒以上,本文介绍系统的概要及性能。 相似文献
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本文针对管道油污难清理难题以及管道清洁机器人对远程监控、运动控制、清洁控制与多信息的获取和处理的需求,设计了以STM32单片机为核心、多个传感器和模块融合的管道蛇形清洁机器人控制系统,实现了机器人远程实时控制以及对管道内环境信息采集和处理等功能。本文所设计的整个控制系统具有良好的可操作性和拓展性。本文通过模拟管道清洁场景实验和Adams软件分析,结果表明:蛇形机器人控制系统可实现远程无线获取多信息,并能有效的清洁管道内壁污垢。 相似文献
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仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。 相似文献
139.
通过改变硅源和晶化时间的方法,采用水热法合成了系列SAPO-5分子筛材料,用X光衍射(XRD)和27Al MAS NMR对产物的晶相结构进行表征,用13C CP MAS NMR研究了不同阶段的产物中模板剂的存在状态。结果可见:以SiO2凝胶为硅源时;薄水铝石反应物有较高的活性,在48h的晶化时间内,延长晶化时间有助于SAPO-5分子筛的完整结晶,当晶化时间超过48h时,其中已形成的SAPO-5的结构部分被破坏,并转化为SAPO-34.且SAPO-34的量随晶化时间的延长而增多。当以Si(OEt)4为硅源时,铝反应物的反应活性较低,在72h的晶化时间范围内,延长晶化时间有助于SAPO-5产物的形成,使其结构愈加完整,在SAPO-5分子筛的形成过程中,模板剂的状态随分子筛结构的变化而变化,由于三乙胺(Et3N)模板剂中的甲基和亚甲基所处位置不同,其弛豫时间受分子筛结构的影响较大,可用其中甲基的13C MAS NMR诺线的强度及化学位移来表示分子筛结构的完整性。 相似文献
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有机印制板上倒装芯片的可靠性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对一种有机印制板上倒装芯片(Flipchip)进行温度循环试验,测出其失效分布曲线,然后通过扫描声显微镜、红外显微镜和剖面等失效分析手段,发现失效模式主要是合金焊点中的断裂以及下部填充料(Underfil)中的损伤如分层(Delamination)和内部裂缝(Crack)。详细地阐述了倒装芯片中的下部填充料损伤在温度循环试验条件下的产生、发展及它们对合金焊点可靠性的影响。 相似文献