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文章系统地介绍了RTS8511系列专用集成电路的主要特性、引脚功能、内部结构、电气参数、信号时序和典型应用电路。 相似文献
182.
随着有机金属化学的发展,人们对鑭系元素的有机金属化合物表现出越来越大的兴趣。七十年代以来这一领域已取得很大进展。相继合成了包含金属-碳囵π键及金属-碳σ键的许多有机金属化合物,其中对包含环戊二烯基的一类鑭系有机金属化合物的合成和性质研究尤为活跃。文献上对这类化合物的~(13)C核磁共振的实验研究只有过为数不多的一些报道,而用量子力学近似方法对鑭系配合物的~(13)C核磁共振化学位移进行计算则尚未见报道。本文在这一方面以1,1′-三亚甲基双环戊二烯基-特丁基鑭四氢呋喃配合物为对象进行一些尝试性探讨。 相似文献
183.
184.
对于警戒或成像雷达,相干和非相干积分或相干和非相干平均,都可以作为提高信-噪(功率)比的一种方法。本文根据固定天线相位微分(单脉冲)雷达,对一种简单的机载雷达的预期性能进行了检验,这种相位微分雷达采用了非相干脉冲积分。文中把经典雷达分析中描述非相干脉冲积分效应的理论方程推广到双天线相位单脉冲雷达中。如果辨认出这种雷达产生的图象是由距离和方位的离散象素组成的数字图象,就可以得到输出信号概率密度函数的有效简化形式。本文指出,如果信-噪比和信-杂比在0dB以上,就可以得到合理的检测和虚警概率。 相似文献
185.
186.
187.
主要研究相互粒子系统中概率测度的负相关.我们得到判定概率测度是负相关的一个充分必要条件.最后证明了具有负相关的概率测度的线性组合及乘积测度仍是负相关的. 相似文献
188.
形成SOI结构的ELO技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发现前者对娃的腐蚀速率约比后者慢一个数量级,指出Br_2的引入有着重要意义.给出了Br_2和H_2对Si和SiO_2的腐蚀速率曲线,讨论了外延横向生长速率对SOI结构的材料表面形貌的影响.在该 SOI膜上制造了 MOS/SOI器件,其N沟最大电子迁移率为360cm~2/V.s(沟道掺杂浓度为 1×10~(16)/cm~3),源-漏截止电流为 9.4×10~(-10)A/μm. 相似文献
189.
190.