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51.
正互反阵的一个特征值问题 总被引:11,自引:0,他引:11
本文讨论层次分析方法提出的一个矩阵特征值问题:对于给定的正互反矩阵,如何修改它的一对元素使得主特征值能够减小?我们对此给出了解答。对于反复多次修改,我们构造了一个迭代程序并且证明了一定意义下的收敛性。将本文的结果应用于层次分析法,可以减少决策分析过程的盲目性。 相似文献
52.
设Δ_2是平面区域Ω=[a,b,c,d]的四方向剖分,S_3~2(Δ_2)是在Δ_2分划下的光滑度1和次数3的二元样条函数空间。利用B-网方法,我们构造了由七片多项式组成的B样条基,并证明了给B样条基具有最小支集。最后,附带给出了基函数的若干简单性质。 相似文献
53.
54.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
55.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
56.
57.
李银兴 《纯粹数学与应用数学》2006,22(3):294-299
引近了一种新的K-泛函,由此建立了积分型Hermite-Feéjr和Lagrange插值逼近的Steckin-M archaud不等式. 相似文献
58.
59.
混合光学双稳系统混沌的控制 总被引:7,自引:1,他引:6
对混合光学双稳(MOB)系统的混沌态提出辅助参考反馈(ARF)控制方法。介绍了ARF控制方法对混沌系统的控制原理以及控制参数的选择,数值分析了MOB系统经混沌控制后的动力学行为。数值分析表明,适当调整反馈系数和参考项不仅可以有效地控制原系统不稳定轨道,而且还可以将系统控制在其它预期的目标轨道上。 相似文献
60.