低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器.该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级.测试结果表明,放大器功耗降为230μW/ch,电源电压降低0.7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷.     

Nd3+ doped fluorochlorozirconate glass:3.9 μm MIR emission properties and energy transfer

The Nd3+ doped fluorochlorozirconate (FCZ) glass was prepared by melt-quenching method. The 3.9 μm emission from Nd3+ ions is attributed to the two-photon absorption process. The strong emission transition at 3.9 μm fluorescence peak intensity, corresponding to the 4G11/2→2K13/2 transition, is directly proportional to the NaCl concentration. With the increase of the Cl- ions amount, the mid-infrared (MIR) luminescent intensity is significantly enhanced. Additionally, the Judd-Ofelt (J-O) parameter Ω2 is larger than that of the fluorozirconate (FZ) glass, which indicates the covalency of the bond between RE ions and ligand is stronger as Cl- ions substitution of F- ions in chloride FZ glass. The X-ray diffraction (XRD) patterns show that the amorphous glassy state keeps the FZ glass network structure. In brief, the advantageous spectroscopic characteristics make the Nd3+-doped FCZ glass be a promising candidate for application of 3.9 μm emission.     

简支梁结构的光纤光栅振动传感器

提出了一种新型的基于简支梁结构的光纤布拉格光栅(FBG)振动传感器,将FBG斜向粘贴在矩形简支梁侧面上,在梁中间设置重物来传感竖直方向的振动信号.实验中使用偏心轮作为振动源,并在梁上粘贴电阻应变片进行对比实验.使用光电探测器(PD)和示波器同时检测传感器受竖直方向振动信号作用时FBG的反射光功率与电阻应变片的响应信号....     

Si4+掺杂对Gd1.6WO6:Eu3+0.4荧光粉发光特性的影响

采用高温固相法合成了不同Si⁴⁺掺杂比例的 Gd1.6(W1－xSix)O 6:Eu³⁺0.4荧光粉,分析了Si⁴⁺掺杂对 Gd1.6(W1－xSix)O 6:Eu³⁺0.4荧光粉晶格结 构的影响,研究了不同Si⁴⁺掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。 结果发现:Si⁴⁺的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu³⁺周围的晶体场 改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si⁴⁺ 的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大 。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数 和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si⁴⁺掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。 计算结果与实验结果相符。     

A novel joint technique for PAPR reduction in CO-OFDM systems

For the high peak-to-average power ratio （PAPR） of coherent optical orthogonal frequency division multiplexing （CO-OFDM） system, a novel joint technique which is the combination of iterative partial transmit sequence （IPTS） and clipping technique is proposed. Simulation results demonstrate that the PAPR and bit error rate （BER） performance of the proposed technique both outperform those of the single techniques. Under the same conditions, the threshold value and peak power of IPTS clipping joint technique are optimized by 3.44 dB and 0.86 dBm compared with those of IPTS techinque, respectively. At the BER of 103, the optical signal to noise ratios （OSNRs） of the novel joint technique after 320 km and 400 km single-mode fiber （SMF） transmission are 0.68 dB and 1.18 dB smaller than those of clipping technique, respectively.     

先进的叠层式3D封装技术及其应用前景

采用叠层3D封装技术将使芯片所包含晶体管数目成倍的增加,它不但具有体积小、性能高、功耗低等优点,而且拥有无可比拟的封装效率.对其叠层3D封装的发展趋势、技术特点、技术优势、散热问题以及应用前景等几个方面进行了探讨.     

营销企业对标管理系统的设计研究

本文结合营销企业对标业务管理需求,设计开发了企业对标管理系统,提供了对标数据的采集、管理、展现、分析等功能,实现了数据处理和分析的自动化,将业务人员从繁琐的数据处理工作中解放出来,提高了工作效率,同时也为企业管理部门提供了企业绩效评价决策依据。     

基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制

用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol (PVP)复合,通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS:PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态,通过正向电压的作用,器件由OFF态转变为ON态,并且在正向或反向电压的作用下,器件始终保持在ON态,表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比,含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性,其电流开关比达到10⁴,这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试,详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制,并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。     

ZnS修饰对ZnO纳米棒：P3HT复合薄膜I-V性质的影响

本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm, 长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列, 引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰, 分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene) (P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件. 通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压, 串联电阻, 反向漏电流及整流比等参数, 认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低, 整流比显著增强, 展现出更优异的电子传输性能. 光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米 棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制, 弱化了电场激发下的载流子陷获, 改善了器件的导电特性. 关键词： ZnO纳米棒阵列 表面修饰 电流-电压特性     

碳量子点负载TiO_2纳米棒阵列的光电化学性能

研究了碳量子点负载的Ti O2纳米棒阵列光阳极的光电化学过程和光催化行为。实验发现碳量子点的引入使Ti O2纳米棒阵列在可见光区域的吸收强度增强,对可见光的响应电流提高3倍,光照下的开路电位增加了2.5%,光生载流子的转移和传输能力得到相应提高。光阳极对亚甲基蓝的降解特性显示,碳量子点的引入使Ti O2纳米棒在可见光照射下的催化效率由25%提高到33%。利用电化学交流阻抗谱(EIS)、MottSchottky曲线讨论了光影响下的电荷运动过程,表明Ti O2纳米棒阵列负载碳量子点后的电荷转移电阻减小,电子寿命增加;碳量子点的负载使Ti O2纳米棒的平带电位负移,导带位置提高,电子的还原能力增强。