合金与化合物扩散改性烧结Nd-Fe-B磁体的研究进展

烧结钕铁硼永磁材料自诞生以来,极大地提升了应用设备的性能,同时也拓展了许多新的应用领域。而近年来,新能源汽车、工业自动化、风力发电和人工智能机器人等领域的蓬勃兴起,对该磁体的矫顽力、热稳定性和耐蚀性等性能又提出了更高的要求。为此,生产研究人员多采用工艺优化、表面涂覆和合金化的方法,改善其实际应用性能。重稀土镝或铽的添加,表面镀锌、镍是较为常用的,而近年来也出现了采用合金与化合物扩散改性的研究,也可以达到比较好的效果。本文综述了这种方式改性的研究进展,概述了常用的化合物种类和这些化合物对于磁性能、耐蚀性能和热稳定性的提升情况,并对采用合金与化合物扩散改性烧结Nd-Fe-B合金的研究进行了展望。     

颤振对TDICCD相机像质的影响分析

为了分析卫星颤振对TDICCD相机像质的影响,给出了低频正弦颤振引起的相机像移,重点分析了滚动、俯仰、偏航三个方向的颤振对相机成像质量的影响.通过对两种卫星颤振动力学仿真数据的计算,具体研究了颤振对相机像质的影响程度.结果表明,TDICCD相机对卫星颤振幅值要求较高,且随TDI积分级数的增加,颤振的影响尤为突出,必须加以限制.     

一种高性能红外探测器模拟器的研制

为解决红外探测器数据采集系统的测试问题,基于红外探测器件本身的工作特点,研制出了能够模拟红外探测器输出信号的模拟装置。该装置不仅能模拟各种阵列规模的红外探测器,输出准确的量化图像数据,而且能为数据采集系统提供所需的帧、行、像元及相关双采样同步触发信号。利用模拟装置输出的量化图像数据实现了红外探测器数据采集系统的定性检查和定量校准,为红外探测器数据采集系统的高效准确测量提供了有价值的参考。     

接触电极功函数对反式锡基钙钛矿太阳能电池性能的影响

因反式锡基钙钛矿太阳能电池可避免J-V迟滞以及铅元素,基于SCAPS-1D设计结构为ITO/HTL/CH3NH3SnI3/PCBM/back-contact的反式锡基钙钛矿太阳能电池器件.其中NiO、Cu2O以及P3HT分别作为空穴传输层,探讨导电玻璃ITO功函数在4.6?5.0 eV范围内电池性能的变化,并分析Al、...     

3G底层核心实时状态检测模块的设计

本文首先提出了3G底层技术统一平台的概念,介绍了本平台及系统控制子系统的框架结构;然后给出了实时状态检测模块的功能和结构设计,包括其在整个系统中的位置、和其它功能模块的联系等;进而重点分析了该模块各个进程和任务的处理流程,并对它们是如何分工合作、实现对整个底层工作状态的实时性检测和控制等技术做了详细说明.     

非同类机极小化最大完工时间的保密排序问题

提出并研究了一类非同类机的极小化最大完工时间的保密排序问题Rm||Cmax.该问题的模型参数分为若干组,每个组都由一个不愿意共享或公开自己数据的单位所拥有.基于随机矩阵变换构造了一个不泄露私有数据且与原问题等价的安全规划模型,求解该安全模型可以获得问题的最优解,而且各单位的隐私数据仍然保持不被泄露.     

最小二乘法在液体粘滞系数实验中的应用

本文用多管落球法测得原始实验数据,运用最小二乘法进行处理,求得无限广延液体粘滞系数,并与直接作图法进行比较。     

人红细胞老化过程中膜表面唾液酸变化的免疫AFM研究

分离人外周血的轻龄和老龄红细胞,采用麦胚凝集素和胶体金对红细胞表面的唾液酸残基进行细胞化学标记,然后在AFM下成像并进行数据分析.结果显示,老龄红细胞膜表面胶体金标记的颗粒数量明显低于轻龄红细胞表面,两者之间有显著差异.推测红细胞老化过程中细胞膜表面唾液酸含量的变化可能与老化细胞的处理机制有关.免疫胶体金标记结合原子力显微镜可在纳米尺度对膜受体蛋白进行定位和定量研究,拓展了原子力显微镜在生命科学领域的应用.     

基于ADSP-BF533光纤熔接监控设计

介绍了在光纤熔接监控系统中基于ADIADSP-BF533的设计方法,用于实时地、高图像精度地远程监控光纤熔接过程.其中视频解码模块ADV7183B完成模拟视频信号数字化,视频编码模块ADV7171完成数字视频信号模拟化,同时采用外部SDRAM存储器作为数字视频帧缓存,整个系统以ADSP-BF533为核心模块进行视频编解码的控制和数字视频数据的处理.此系统可以进行实时的视频压缩处理,完成多个视频源的模拟视频同时显示在一台模拟监控器上,分辨率高,达到了远程实时监控光纤熔接过程的目的.     

PDSOI 静态随机存储器的总剂量辐照加固

对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.