全文获取类型
收费全文 | 37篇 |
免费 | 8篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
化学 | 11篇 |
力学 | 5篇 |
物理学 | 8篇 |
无线电 | 28篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 3篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 8 毫秒
21.
22.
汉堡大学的G.Huber和他的学生所进行的工作,部分与莫斯科列别捷夫研究所的I.A.Shcherbakov等人合作,至少有四种石榴石结构的晶体实现了Cr3+的可调谐连续激光运转。B.Struve,G.Huber报道利用提拉法于1750℃在铱坩埚中生长出了优质掺Cr3+的GaScGG、YGG、GGG、YScGG和LaLuGG激光晶体。测得的荧光光谱如图11所示。 相似文献
23.
GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料,对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求,利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。 相似文献
24.
A new rare earth catalyst system was found in our laboratory. Not only styrene and iso-prene are copolymerized but also styrene and butadiene are copolymerized with the new catalyst system-4f metal compounds-alkyl aluminium compounds-other components. The copolymers are characterized as the block copolymers containing 4.0-4.5(%) gels, 22.0-97.7(%) cis-l,4-contents and 8.3-79.8 (mol%) styrene contents by means of IR, 1H-NMR,13C-NMR and Dynamic mechanic properties. 相似文献
25.
采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)对SnS_2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试,计算或分析了SnS_2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明:制备SnS_2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下,所制备的SnS_2薄膜沿(001)晶面择优取向生长,可见光透过率和折射率较高,消光系数较小,直接带隙为2.81 e V。在此基础上,进一步制备了n-SnS_2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性,反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS_2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。 相似文献
26.
27.
28.
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜.靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%).利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响.结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长, SnS :5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰.随着Cu掺杂量的增大, 平均颗粒尺寸逐渐增大.不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1数 量级.SnS :5%Cu薄膜的禁带宽度Eg为2.23 eV, 光暗电导率比值为2.59.同时, 在玻璃衬底上制备了p-SnS :Cu/n-ZnS 异质结器件, 器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性, 并具有较弱的光伏特性. 相似文献
29.
为了提高柔性电子器件在大变形过程中的可变形性,防止失效破坏,本文以完全粘结的蛇形结构为例,利用ABAQUS有限元软件建立了金属薄膜交联导体-基底的三维有限元模型,研究了金属导体在基底预应变作用下的延展性,计算出导体和基底的不同材料和几何参数(基底厚度ts(500μm~3000μm)、导体宽度wm(1μm~4μm)、导体厚度tm(0.25μm~6μm)、长间距比α(0~3))下蛇形结构的弹性延伸率(εs)大小,并利用Origin软件得出了各参数与弹性延伸率的关系曲线。结果表明:弹性延伸率随着基底弹性模量、金属厚度的增加而减小,随着导体弹性模量的增大而增大,当金属厚度tm<0.45μm时,弹性延伸率超过100%,导体延伸率受基底厚度、金属宽度影响较小;当长间距比α<1时延伸率随着α的增大而增大,α>1时基本保持不变。根据这些结果可进一步优化系统结构,使系统获得最大延展性。数值模拟结果也说明了基底预应变能显著提高蛇形交联导体的弹性延伸率。 相似文献
30.