非线性周期大系统的平稳振荡

非线性非自治常微系统的周期解问题有着很重要的实际背景(如:电讯工程中的强迫振荡,生态系统和经济系统中周期环境下的竞争平衡等)。因而一直受到国内外众学者的重视。处理这类问题的主要方法有两个:第一个是传统的定性分析方法。早在50年代末,我国就有专著介绍了这方面的一些经典工作。此方法是非常繁琐的。第二个是Lyapunov函数方法。其思想是由著名的日本数学家T.Yoshizawa把处理系统     

射频SAW器件非线性信号的测量及产生机制分析

射频前端的高度集成和高能量密度使声表面波(SAW)器件的非线性问题愈发严重。该文搭建了射频SAW器件非线性信号的测量系统,对SAW谐振器的二次谐波(H2)和三次谐波(H3)信号进行了准确测量。分析测量结果,讨论了非线性谐波信号的产生机制,并通过非线性有限元(FEM)模型仿真结果与测量结果拟合对比,验证了介电非线性和声应变的非线性效应对谐波产生的影响,为进一步研究非线性抑制方法,设计高线性度SAW器件提供了重要支撑。     

超大带宽高频XBAR谐振器研究

随着第五代移动通信(5G)时代的到来,高频、大带宽的谐振器成为通信行业的迫切需求。该文设计制备了一款可实现高频超大带宽的横向激发体声波谐振器(XBAR)。该谐振器A1模式的谐振频率为5.81 GHz,机电耦合系数可达39.6%,Q-3 dB为248;A3模式的谐振频率高达17.04 GHz,机电耦合系数为7.0%。该谐振器A1和A3模式的频率温度漂移系数(TCF)分别为-72.6×10^-6/℃和-38.5×10^-6/℃。此外,该文还提出了一种新型叉指电极(IDT)结构,该结构可以抑制寄生模式,提升谐振器性能。     

沟槽电极型声表面波耐高温谐振器的制备

声表面波(SAW)传感器在高温环境的需求日益增多,硅酸镓镧因为具有良好的高温特性而提供了耐高温压电基底,但是电极在高温条件下会发生团聚而失效。该文设计了一种沟槽电极结构的耐高温SAW谐振器,采用Pt作为电极,硅酸镓镧作为压电基底,并提出了沟槽结构叉指电极的制造工艺,对沟槽结构的形貌进行了表征。通过提高沉积温度改善Pt电极质量,最终制备的波长8μm、沟槽电极厚240 nm的谐振器在1 000℃下可稳定工作。     

水热法制备纳米TiO2及其在水相介质中分散性的研究

以硫酸法钛白粉生产工艺的中间体偏钛酸为原料,采用水热法制备了纳米TiO2粉体。研究了磷酸、硫酸、反应温度及反应时间对TiO2粉体的晶型、粒径及形貌的影响,考察了其在水相介质中的分散性。并借助XRD、SEM、动态激光粒度分析仪和动电位及静态激光粒度分析仪对其进行了表征。     

一种高性能红外探测器模拟器的研制

为解决红外探测器数据采集系统的测试问题,基于红外探测器件本身的工作特点,研制出了能够模拟红外探测器输出信号的模拟装置。该装置不仅能模拟各种阵列规模的红外探测器,输出准确的量化图像数据,而且能为数据采集系统提供所需的帧、行、像元及相关双采样同步触发信号。利用模拟装置输出的量化图像数据实现了红外探测器数据采集系统的定性检查和定量校准,为红外探测器数据采集系统的高效准确测量提供了有价值的参考。     

3G底层核心实时状态检测模块的设计

本文首先提出了3G底层技术统一平台的概念,介绍了本平台及系统控制子系统的框架结构;然后给出了实时状态检测模块的功能和结构设计,包括其在整个系统中的位置、和其它功能模块的联系等;进而重点分析了该模块各个进程和任务的处理流程,并对它们是如何分工合作、实现对整个底层工作状态的实时性检测和控制等技术做了详细说明.     

非同类机极小化最大完工时间的保密排序问题

提出并研究了一类非同类机的极小化最大完工时间的保密排序问题Rm||Cmax.该问题的模型参数分为若干组,每个组都由一个不愿意共享或公开自己数据的单位所拥有.基于随机矩阵变换构造了一个不泄露私有数据且与原问题等价的安全规划模型,求解该安全模型可以获得问题的最优解,而且各单位的隐私数据仍然保持不被泄露.     

人红细胞老化过程中膜表面唾液酸变化的免疫AFM研究

分离人外周血的轻龄和老龄红细胞,采用麦胚凝集素和胶体金对红细胞表面的唾液酸残基进行细胞化学标记,然后在AFM下成像并进行数据分析.结果显示,老龄红细胞膜表面胶体金标记的颗粒数量明显低于轻龄红细胞表面,两者之间有显著差异.推测红细胞老化过程中细胞膜表面唾液酸含量的变化可能与老化细胞的处理机制有关.免疫胶体金标记结合原子力显微镜可在纳米尺度对膜受体蛋白进行定位和定量研究,拓展了原子力显微镜在生命科学领域的应用.     

PDSOI 静态随机存储器的总剂量辐照加固

对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.