ATM技术及其研究现状

本文简述了信息传输技术的发展历史;阐明了ATM 技术的概念并指出交换技术是ATM 技术的核心;介绍了目前ATM 技术的研究状况,着重介绍了几种具有代表性的ATM 交换系统;讨论了ATM 技术的另外两个组成部分——突发编码技术和流量控制技术。     

2,3-二硫甲基-6,7-二硫十六烷基四硫代富瓦烯的合成

Langmuir-Blodgett(简称LB)法作为分子水平的成膜技术,能制备纳米级几乎无缺陷的单分子层或多分子层膜,在微电子学,分子器件,磁性有序材料,生物膜等方面有广泛的应用前景。目前,四硫富瓦烯类衍生物作为导电LB膜材料的研究,引起人们极大的兴     

服装主观热感觉的统计分析

本文用多因子方差分析模型和多重比较分析了服装穿着时的主观热感觉与服装品种、环境条件、穿着者的活动状态与籍贯之间的关系。通过主成分回归建立了用生理指标预测主观热感觉的模型，从而得出一种定量地评价服装属性的方法。     

X波段双极化有源相控阵天线的设计

机载或星载X波段有源相控阵雷达系统具有很高的分辨率，由于雷达系统使用了大量双极化子阵组成的有源相控阵天线（俯仰面和方位面均需扫描），频率的升高使得子阵馈线网络的可用面积受到了很大的限制。本文着重论述了有源相控阵天线中的双极化阵设计，提出了一系列解决方法，进而叙述了整个天线阵的设计。     

一种便于观测的信号抽样及复原方法

利用倍频器，将重复频率与连续信号ｔ（ｔ）的频率相同的方波进行若干次倍频后，对连续信号进行抽样，从而获得离散的抽样信号ｆｓ（ｔ），再利用有源低通滤波器使其复原成连续信号ｆ（ｔ）。避免了一般抽样器不便于观测的缺点。     

采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤

本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程，并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

星载光学系统遮光罩消杂光结构优化设计方法

本文对星载光学系统遮光罩消杂光结构的优化设计做了初步探讨。提出了遮光罩和挡光环消杂光设计的基本原则。给出了一种二级遮光罩结构寸的优化设计方法和一种遮光罩内壁上挡光环位置优化设计方法,并对一级和二级遮光罩进行了初步的分析比较。