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61.
62.
在对抛物线的研究中,笔者得到了它涉及斜率的一个有趣性质,介绍如下.定理1给定抛物线E1:x2=2py(p〉0),A、B是E1上的任意两点,线段AB的中点为M,过M作垂直于x轴的直线交E1于C,P 相似文献
63.
建立了超高效液相色谱-三重四极杆质谱法(UPLC-MS/MS)同时测定水粉画颜料、油画颜料、丙烯画颜料等美术颜料中33种初级芳香胺(PAAs)的检测方法。样品中的初级芳香胺用乙腈提取,经离心分离、氮吹浓缩后,以甲醇-水(1:9, v/v)定容至2 mL, 0.22 μm膜过滤后上机检测。采用BEH Phenyl柱(100 mm×2.1 mm, 1.7 μm),以含0.07%(v/v)甲酸的甲醇溶液-水(1:9, v/v)为流动相,梯度洗脱分离,UPLC-MS/MS多反应监测模式(MRM)检测,同位素内标法定量。方法优化了色谱分离条件、质谱碎裂电压、碰撞能量等,并考察了提取时间、提取溶剂、浓缩方式等对回收率的影响。33种初级芳香胺的方法检出限为5~50 μg/kg,定量限为15~150 μg/kg, 3种不同基质样品在3个添加水平的平均回收率为70.1%~115.8%,相对标准偏差(RSD)为2.1%~15%。本方法操作简便、快速、准确、灵敏度高,能满足相关测定的要求。 相似文献
64.
分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/Alq_3/Bphen:Liq/LiF/Al的有机发光器件.研究了传输层的单载流子器件行为,同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的整体效率也会受到影响,在实验中通过调节4F-TCNQ的质量百分比,来调控空穴的注入和传输,使载流子达到了较好的平衡.器件的最大电流效率和流明效率分别达到了6.1 cd/A和5.2 lm/W. 相似文献
65.
基于FPGA的高阶QAM调制器的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
针对全数字正交幅度(QAM)调制技术在数字微波通信系统中的应用,以64QAM为例提出了一种全数字实现的调制系统结构方案,基于QuartusⅡ及Matlab软件开发平台,用原理图和Verilog HDL语言相结合的方法实现了高阶QAM调制器的各个模块的FPGA设计。由于256QAM与64QAM具有相同的矩形星座图,通过修改Verilog HDL程序可以适应256制式的QAM调制。 相似文献
66.
67.
68.
采用电化学沉积在碳纳米管纤维上复合锌钴氢氧化物纳米片(CNTF@ZnCo-OH),并研究其电化学性能。实验结果表明CNTF@ZnCo-OH电极在2 A·g-1的电流密度下比电容为748 F·g-1,在10 A·g-1的电流密度下循环2 000圈以后,比电容保持率高达110.4%。该优异循环性能得益于碳纳米管纤维基底的网络结构和ZnCo-OH的纳米片状结构。以CNTF@RGO(石墨烯)为负极、CNTF@ZnCo-OH为正极,组装线状全固态非对称CNTF@ZnCo-OH//CNTF@RGO超级电容器。该器件在0.5 A·g-1电流密度下比电容为70 F·g-1,2 000次循环后电容保持率为79.6%,并且在不同的弯曲状态下保持电化学性能不变,具有优良的机械稳定性。该非对称线状器件可以在0.8~1.4 V之间工作,其能量密度高达19.1 Wh·kg-1,对应的功率密度为1 400.3 W·kg-1。2个30 mm长的线状器件可持续点亮LED灯10 s。 相似文献
69.
以苯乙烯类化合物BCzVB为蓝色荧光染料,以铱配合物Btp_2Ir(acac)为红色磷光染料,共掺杂到CBP基质中作为发光层,制备了白色有机电致发光器件,研究了该体系发光色度漂移的原因。器件在掺杂CBP:6?zVB: 0.2%Btp_2Ir(acac),在.驱动电流从4~200 mA/cm~2变化范围内,发光色坐标从(0.340,0.273)飘移到(0.308, 0.273),色坐标轻微蓝移。对器件发光光谱和亮度-电流密度曲线等分析表明:器件色度的轻微蓝移是由于CBP基质向Btp_2Ir(acac)掺杂剂完全的能量传递、荧光染料BCzVB向磷光染料Btp_2Ir(acac)不完全的能量传递等内在物理过程和磷光染料Btp_2Ir(acac)自身发光饱和等特性共同决定的。 相似文献
70.
利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。 相似文献