NiosⅡ系统中DMA控制器的原理及应用

详细介绍了NiosⅡ系统中DMA控制器的基本原理,数据传输过程以及DMA控制器中各寄存器的作用。重点介绍了与DMA操作有关的API函数及其使用方法,并通过一个实例描述NiosⅡ系统中如何利用DMA方式将数据从SDRAM传输到串口。实践证明,在同等CPU开销的情况下,利用DMA技术可以将CPU从繁重的数据搬移操作中释放出来,从而提高CPU的数据处理能力。     

基于阻抗模型解析的氧化锆固体电解质组织结构演变模型

晶界对多元多晶电解质材料电导率的影响, 已成为制约高温固体电解质材料发展的瓶颈. 传统的晶界观察方法难以将高温下材料的组织结构与电导性能相对应. 鉴于此, 本文研究了部分稳定氧化锆(PSZ) 固体电解质材料的变温交流阻抗特性, 并对交流阻抗谱进行了拟合分析, 发现等效拟合电路随温度的上升而发生变化. 通过对不同等效电路模型的物理解析, 得出PSZ电解质材料显微结构在高温下的演变模型. 经进一步分析, 演绎出一种'短程有序'的'晶界桥接'组织模型, 为改善PSZ电解质材料的晶界电导提供了参考.     

基于多矩形饼切函数的弹药毁伤效能评估方法

为了快速准确地评估弹药对目标的毁伤效能,提出了一种基于多矩形饼切函数的弹药毁伤效能评估方法。该方法采用梯形法则、分区等效的思想,可以较大程度地保留实际毁伤区域中毁伤概率值的分布规律,从而保证计算的准确度。通过算例分析,研究了弹药落角和投放精度对目标平均毁伤概率的影响,并与基于矩形饼切和卡尔顿毁伤函数方法的结果进行了比较。结果表明,在弹药落角范围为30°～75°及弹药投放精度（circular error probable, CEP）范围为5～50 m时,与矩形饼切毁伤函数相比,基于多矩形饼切毁伤函数的计算方法使毁伤效能计算精度最大提高了26.4%;同时,与卡尔顿毁伤函数相比,计算效率提高了518倍。     

全光通信用MEMS光开关

在简要介绍了硅微加工技术的基础上,详细介绍了微透镜和微反射镜两种MEMS光开关的结构和工作原理。从发展和实用的角度对典型的波导调制型MZI光开关和MEMS光开关的特性进行了比较,展望了MEMS光开关在未来全光通信中的应用前景。     

一种简单高效的复合温度控制系统

介绍了常用的温度控制方式,比较了ON/OFF控制和常规PID控制的优点与存在的不足。根据电热烘箱各加热阶段的不同要求,提出了采用分段式控制的复合温度控制方案,即在温度偏差较大时采用强制加热方式提高系统的动态响应速度,温度偏差接近设定值时自动切换到PID控制方式以增强系统的稳态性能。试验结果表明这种复合式温度控制方式是解决提高加热效率和保证温度稳定性这一矛盾体的有效手段。     

脉冲星的分类和演化

定义了一个新的物理量Q=log(W_e/P^2/3)M 作为判据,把射电脉冲星划分成正常脉冲星和起源于双星系统的再循环脉冲星,并在这个分类基础上讨论了两类脉冲星的观测特征和演化.     

凝固点降低法测定摩尔质量实验改进

用改进的凝固点测量管 ,在 - 5℃和 - 1℃双温冷却剂中测量葡萄糖等物质的摩尔质量 ,比其他方法操作简便 ,所测的表观摩尔质量值更接近实际值     

镧对UV-C胁迫下番茄幼苗的防护作用

在温室中研究了La3+对UV-C辐射胁迫下番茄幼苗保护酶活性及光合色素的影响.结果表明:UV-C胁迫降低了番茄幼苗SOD和POD活性,增加了膜脂过氧化产物MDA含量.La3+对UV-C胁迫下番茄幼苗SOD和POD有显著的调控作用.与单一UV-C胁迫组相比,番茄幼苗SOD活性平均增加了38.03%,POD活性平均增加了20.43%,番茄幼苗MDA含量平均降低18.63%,表明La3+有效防止了番茄幼苗细胞膜脂过氧化作用,一定程度上缓解了番茄幼苗膜系统的伤害.La3+能够显著缓解UV-C辐射胁迫对光合色素的降解作用.与单一UV-C胁迫组相比,番茄幼苗叶绿素a平均提高了17.65%.叶绿素b平均提高了17.11%,类胡萝卜素含量维持较高水平.综合比较各项指标,30 mg·L-1LaCl3在UV-C辐射胁迫下对番茄幼苗的防护效果好于60 mg·L-1LaCl3.     

计算机网络课堂教学中的能力培养

计算机网络是高校计算机相关专业的一门重要的专业课程,也是对相关专业本科生进行能力培养的主要课程。针对计算机网络课程特点和难点,结合高校教指委所制定的专业能力构成与培养的指导思想,提出了计算机网络课堂教学的能力培养目标和几种行之有效的教学方法。教学实践证明了方法的有效性。     

长管体与长杆体侵彻靶板对比研究

为解决大长径此穿甲弹带来的问题，有必要设计一种由长杆体和长管体组成的异形侵彻体，通过试验和数值模拟的方法，对同材料、同质量、同长度的长管体与长杆体对半无限均质靶板的侵彻能力进行了比较研究，描述了长管件和长杆体的侵砌物理图像，得出了两种侵彻体的质量、速度随时间的变化规律．试验和数值模拟结果均表明，相同条件下，同质量同长度长管体的侵砌能力要差于长杆件，长管体的速度和质量随时间下降速率均大干长杆体。