CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

我们提出了一种以图解的方式来理解复杂的电荷泵浦 ( CP ) 测量过程的方法。这里我们定义了电荷泵浦测量中的快速和慢速两种缺陷陷阱,并用图解的方式清晰直观地解释了电荷泵浦测量中出现的脉冲上升下降时间相关现象、频率相关现象、快速和慢速成分与测量电压相关现象以及几何效应对电荷泵浦测量的影响。由于电子和空穴的捕获截面不对称,并且测量到的电荷泵浦电流 ( Icp ) 是由捕获截面较小的电子或者空穴成分决定,所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态和稳态两个过程。我们还用这个图解的方法讨论了最新发展的改良电荷泵浦 ( MPC ) 方法的合理性。     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ) 能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。     

深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流

在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方法,这种方法考虑了价带的混合效应.通过与试验结果的对比,证明了这个模型可以适用于CMOS器件中电子和空穴的隧穿电流.还研究了介质层能隙中的色散对隧穿电流的影响.这个模型还可以进一步延伸到对未来高介电常数栅介质层中隧穿电流的研究.     

B~+和P~+离子注入在n-Si中产生缺陷能级的进一步研究

用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5 × 10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4 × 10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测量.在注B~+样品中,发现三个新的电子陷阱E_6(0.16),E_7(0.15),E_8(0.08),其中E_7具有很大的浓度.在注P~+样品中,发现二个新的电子陷阱,其中E_7与注硼样品属于同一种中心,因此可能与硼无关.另一个E_3＂(0.09).     

关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点

本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的施主NU和SD。NU是产生DX能级的负U中心。SD只形成浅施主能级或电激活中心。两种中心的浓度N~(NU)和N~(SD)可以比拟。且N~(SD)/N~(NU)随Si浓度增加而增加。SD中心作为一种电子源,向NU输送电子,放宽了费米能级钉扎于DX能级的条件,从而与Hall实验相符。并用此观点重新解释了过去的种种实验。     

B~+、P~+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究

本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As~+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10~(14)/cm~2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区(0.2-0.6μm)形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10~(17)/cm~3,本文称之为沟道注入饱和浓度.还发现沟道注入造成的非晶层比相同剂量下随机注入造成的非晶层略厚一些.退火后残留的二次缺陷仍在原重损伤层与衬底之间的过渡区.     

不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心

应用DLTS方法分别对于在氩气、氮气和氢气气氛下生长的 n型 VPE-GaAs材料中形成的深缺陷能级做了研究并进行了比较.由比较结果说明,氩气氛下生长的VPE-GaAs材料,较之其它条件相同但在氮气和氢气气氛下生长的n型VPE-GaAs材料,具有较低浓度的深能级.并且预计AsCl_3-Ga-Ar系统在制做GaAs器件方面具有优越性.     

Si中Au受主能级的流体静压力移动

用恒温的瞬态电容法测量了各向同性流体静压力P下,Si中Au受主能级E_T的压力系数。在0—8kbar压力范围内,(?(E_c-E_T))/(?P)=-1.9meV/kbar。该能级对电子俘获截面在实验误差范围内与压力无关。以上数据与文献[13]报道的Si中Au受主深能级在单轴应力下的压力系数作了比较。结果说明该深能级缺陷势不具有T_d对称性,因此Si中Au受主能级看来并不来源于简单的Si中Au替位或间隙组态。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。 关键词：     

Si中深能级T_2对称波函数理论

木文在文献[5,6]所发展的在位缺陷势格林函数方法基础上,进一步讨论Si中短程缺陷势引入的T_2对称深能级波函数性质。第一次给出了Si禁带中部很宽能量范围之内T_2对称波函数的完整数据。波函数在缺陷最近邻四个格点的占据几率P_1有一高达50％以上峰值。该部分相当于四个最近邻格点指向缺陷的杂化轨道准悬键的T_2组合。第0,1,2三个格点壳层波函数占据几率之和约为70％。波函数其余部分较平缓地分布在一相当大空间。波函数的以上特征与禁带中部能量位置关系不灵敏。但在靠近导带E_c和满带E_v的浅能量区,以上P_1峰趋于消失,整个波函数在空间的分布趋于平坦。Si空位在禁带引入一个T_2对称深能级,位于E_v以上0.51eV处。