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101.
应用解析分析和TCAD器件模拟研究了CMOS电路中由辐照诱发的器件间漏电流问题。以往报道中对于场氧化层中陷阱电荷沉积进而导致寄生漏电流通道开启的物理过程存在若干不同观点,本文中针对这些矛盾点入手,在理论分析中考虑电场强度、氧化层厚度和掺杂浓度随深度的变化,而不仅仅是针对单一变量进行分析。在所有可能的器件间漏电流通道中,以N型阱作为漏区和源区的寄生结构在源漏间存在电压差时相对其他寄生结构对总剂量效应更敏感。但考虑到电路实际工作中N阱区通常接相同电源电平,所以该类寄生结构不会恶化实际CMOS电路的总剂量效应敏感性。总的来说,存在于实际电路中、并且在实际工作中仍然需要考虑的器件间漏电流通道对总剂量效应并不十分敏感(< pA)。 相似文献
102.
103.
为准确选择出最优信道,提升光通信系统传输性能,研究最优信道选择对光通信系统数据传输性能的影响。分析通信信道方式、信道参数变化,依据分析结果,计算信道选择变化下,光通信系统传输性能变化,建立影响分析模型。通过改变系统通信距离、基带信号接收孔径和系统调制方式,验证最优信道选择对光通信系统传输性能的影响。实验结果表明:选择最优信道的光通信系统数据传输准确性最高达98.26%,具有实用性。 相似文献
104.
针对目前高压线路绝缘子缺陷检测速度慢,复杂场景下精度低的问题,提出一种基于轻量化YOLOv4(you only look once)的复杂场景绝缘子缺陷检测算法。首先利用轻量级的ECA-GhostNet(efficient channel attention GhostNet)作为骨干网络,以提升检测速度;然后在预测层引入分类-定位质量估计联合表示方法,并采用广义分布表示边界框的灵活分布,以提升复杂场景下的检测性能。训练阶段分别采用定位质量焦损失函数(quality focal loss,QFL)与分布焦损失函数(distribution focal loss,DFL)更好地监督联合表示与边框回归。将该算法在具有复杂背景的数据集上对正常与自爆缺陷绝缘子两类目标进行验证实验,结果表明,该算法在复杂场景下的检测精度均优于目前主流算法,且检测速度达49FPS,比YOLOv4原始算法检测速度提升了约40%。 相似文献
105.
面对采集的指纹图像质量较差的问题,提出一种在小波域对指纹图像滤波增强算法。该算法在小波域进行Ga-bor滤波增强,通过Radon变换后的投影估计Gabor滤波的方向和频率,对滤波增强后的子图进行小波重构得到最后的结果,有效地抑制高频扰动对指纹图像质量的影响,提高运算速度和准确性。通过对FVC2000指纹库中的部分低质量指纹图像进行增强,表明该算法对指纹图像的增强效果明显,并且处理速度较快。 相似文献
106.
光滤波器:结构、原理与特性 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了目前已普遍应用以及尚处研究开发阶段,但具有潜在应用前景的各种光学滤波器,以及介绍它们的结构和基本原理及其性能。 相似文献
107.
108.
解答数列问题,正确的求出通项公式是关键,本文通过对近几年的高考数列解答题进行梳理,对数列通项公式的求法进行了归纳、总结,得出求数列通项公式的三类基本题型. 相似文献
109.
基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性,计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。 相似文献
110.
电解质溶液在微波场中升温行为的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
电解质溶液在微波场中升温行为的研究王真洪品杰戴树珊(云南大学化学系昆明650091)关键词电解质溶液微波温升弛豫近年来,利用微波加热技术加速化学反应已有许多报道,在微波场中体系的升温行为对化学反应有很大的影响[1-5]。水是许多化学反应用得较普通的一... 相似文献