CeO2基氧化物储氧材料研究 (Ⅰ) 制备、储氧性能研究

用共沉淀法制备了CZO和CZYO复合气化物,对在750,900,1050℃老化的样品进行XRD,BET和OSC的测试和分析。在高温条件下纯CeO2样品的比表面积和OSC迅速下降,晶粒尺寸快速增大;所制备的CZO复合氧化物由立方相和四方相两种结构的固溶体组成,在高温老化后氧化物晶粒的尺寸增大较快;CZYO复合氧化物中的Y含量增至0.15mol时形成均相的固溶体,且氧化物的晶粒尺寸增长较慢,Y起到了高温条件下稳定氧化物性能的作用;CZYO复合氧化物具有BET表面积大、OSC高等优良的耐高温性能,是适用于开发新一代TWO、的储氧材料。     

介质对配合物稳定性的影响 Ⅳ.Cu(SCN)~ -NaNO_3-tert-Butyl Alcohol-H_2O体系,25℃

本文用分光光度法确定了２５℃下配阳离子Ｃｕ（ＳＣＮ）＋在ＮａＮＯ３－叔丁醇－水介质中的稳定常数。混合溶剂中叔丁醇组成为０，５，１０，１５，２０和２５ｗｔ％，离子强度范围为０．２～３．０ｍｏｌｅ·ｄｍ－３，溶液的ｐＨ＝１．５～１．６。基于Ｐｉｔｚｅｒ理论用最小二乘多项式逼近法，确定了混合溶剂中配合物热力学稳定常数。讨论了配位反应的一级介质效应。     

基于相位一致性改进的活动轮廓分割模型

为了实现甲状腺超声图像中结节组织的快速准确分割,克服图像灰度分布不均匀和边缘模糊对分割结果造成的影响,采用了基于相位一致性改进的活动轮廓分割模型。首先,利用相位一致性边缘检测原理构造一种新的速度函数,不仅弥补了梯度算子边缘检测中由于滤波处理造成边缘损坏的缺陷,而且可以灵活地控制曲线演化速率;然后,将该速度函数乘入到无边缘主动轮廓模型的能量项中,避免了线性组合中的权重分配问题,同时具有全局分割能力。通过理论分析和实验验证,改进模型的相对差异度均小于1%,运行时间均低于对比模型。结果表明,新模型实现了灰度分布不均匀图像的精确分割,同时分割效率也有所提高。     

基于政企校合作模式建设人事考试标准化考场信息化系统实施与评估研究

近几年,我国对于各类大型考试特别是人事考试的创新战略的实施置于国家教育发展的制高点,加大了对人事考试信息化和考场标准化体系的建设和投入.与此同时,伴随着政企校合作模式的出现,信息资源共享系统得到了长足发展,这使得人事考试标准化考场信息化系统实施与评估开始成为学界和业界共同关注的焦点问题.在人事考试工作的评估基础上,进行了考试标准化考场信息化评估的研究和实践的尝试.尽管我国在此方面的探索还处于起步阶段,然而却是我国人事考试可持续发展的现实需要.本文就以河北省人事考试数据为例,进行论证.     

汽车传动系统熄火工况减振控制算法研究

车辆安装双质量飞轮(DMF)可改善正常行驶过程中舒适性，但会加剧汽车在熄火过程中传动系统的振动响应。针对该问题，以某型汽车为对象，基于安装双质量飞轮后汽车传动系统的特性，提出了相应的减振控制算法并进行了试验验证。通过不同试验方案及试验结果对比，提出了在汽车熄火时刻，通过ECU控制逻辑关闭进气节流(TVA)阀和废气再循环(EGR)阀，并适当延迟断油时刻的控制算法。该算法使传动系统穿越共振转速区的时间缩短了50%，大幅改善了汽车传动系统的熄火振动。     

电动汽车用动力电池环境下的安全性能

随着以锂离子蓄电池为代表的新能源汽车的推广与普及,就动力电池本身来说,在不同环境条件下的安全使用是至关重要的,其安全性能应结合电动汽车用锂离子蓄电池在充放电、行驶、环境温度变化和意外事故发生时可能出现的各种情况下,确保锂离子蓄电池进行有效的防护,不爆炸,不起火,避免灾害的发生.     

点火装置试验测试系统的抗干扰分析

在点火装置发火试验测试系统应用中，经常遇到设备、信号传输的干扰问题，本文首先阐述了点火装置发火试验测试系统的组成结构和工作原理；然后结合该测试系统的结构特点和现场试验环境条件，分析了影响该点火试验测试系统的主要干扰源、原因抗干扰能力的方法和措施。经过试验验证，这些方法和措施对提高点火装置发火试验测试系统抗干扰能力具有普遍意义和实用价值。     

CMTS＋CM系统页面推送技术探讨

随着业务不断发展，有线电视网络运营商经常面临如何将最新的服务信息及时有效地传递给特定客户的问题。本文将对强制页面推送技术做详细讨论。     

基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μmCMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3V条件下,在-20～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6ppm/℃和37.8ppm/℃,直流时的电源抑制比为-68dB,基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5V。