离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

高一学生化学学习笔记方法指导

学习笔记伴随着学习的全过程,随年级的提高笔记的作用越来越突出。然而在教学实践中发现,相当一部分学生不会记笔记,更不会运用笔记进行 学习,刚入高一的学生在这方面暴露的问题更加突出。     

Ru(bpy)^2^+~3-C2O^2^-~4-PtE体系的两条电致化学发光通道

运用电位分辨电致化学发光(PRECL)手段发现Ru(bpy)^2^+~3-C2O^2^-~4-PtE体系在预氧化的多晶铂电极上存在两个发光通道,这两个通道分别位于1.22V和1.44V处,对影响两发光通道的条件进行了研究,比较了几种经过不同预处理方式(直接抛光、阳极极化和阴极极化的电极以及S吸附电极)以及体系中不同C2O^2^-~4浓度,pH,溶解氧和溶解二氧化碳对两PRECL峰形、峰强度的影响。提出第二个ECL发光峰的机制为C2O^2^-~4直接电极氧化产物CO^-^.~2(或C2O^-^.~4)的催化发光。     

Electronic spin susceptibility of metallic superconductive nano-particles

We have observed the thermodynamic properties of metallic superconductive nano-particles in the grand canonical ensemble; and the level distribution and the level correlation between the discrete electronic energy levels are considered in the calculation of the electronic spin susceptibility of the ensemble numerically. The quantum effect, even--odd effect and other special effects existing in the metallic nano-particles are also studied in this article.     

伴刀豆凝集素修饰磁性纳米粒子富集人血清中糖蛋白及质谱鉴定

发展了一种新型的磁性纳米粒子应用于人血清中特异性糖蛋白的亲和富集。制备的磁性纳米粒子具有核/壳/壳结构,即由Fe₃O₄磁性粒子/硅胶层/有机聚合物外层构成。伴刀豆凝集素A（Con A）以共价键合的形式通过短链聚乙二醇固定在粒子表面,实现了人血清中特异性糖蛋白的高效富集。富集的蛋白经过胰蛋白酶酶解后,所得的肽段经离线的二维色谱分离,用高分辨质谱共鉴定出80种蛋白。通过NetNGlyc等搜索软件分析确定其中76种为糖蛋白,分析发现在血清中质量浓度仅为0.00001 g/L的 β -2-glycoprotein 1也得到了鉴定,表明我们发展的磁性纳米粒子与凝集素相结合的方式,可以高效地富集复杂体系中与主要蛋白成分含量相差12个数量级的低丰度糖蛋白。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

Influence of Fe Contamination on the Minority Carrier Lifetime of Multi-crystalline Silicon

We investigate the influence of Fe contamination on the minority carrier lifetimes of multi-crystalline silicon. The minority carrier lifetime is measured by the microwave photoconductive decay method. The original bulk lifetime is about 30μs after passivation with iodine solution. After intentional Fe contamination, the bulk lifetime declines with increasing temperature. Fast cooling in air conduces to the formation of more interstitial Fe （[Fe]i）. Slow cooling through the control of the furnace temperature limits the formation of more [Fe]i, but leads to the formation of precipitation. The data support the idea that the minority carrier lifetime in multi-crystalline silicon mainly depends on the distribution of Fe but not the total amount. A favorite effect of [Fe]i gettering is discovered after conventional phosphorus diffusion, and the [Fe]i concentration remaining in the silicon wafer is acceptable for solar cell applications.     

低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用

空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用。使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作。实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100 ℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳：器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10 V时,器件的最高亮度达到27 100 cd/m2。     

利用曲面计算全息图进行凸面非球面检测

基于曲面计算全息方法，设计了检测大口径凸面非球面的干涉仪，其精度可优于λ/30(P-V值)。研究了利用激光直写设备在曲面基底上制作全息图的方法，由于全息图的线宽变化较大，采用刻线的两边精确写入、中间螺旋线写入快速填充的策略，有效提高了写入精度和效率。在口径110mm、曲率半径500mm的曲面基底上，制作出了全息元件。利用自制的干涉装置，对用金刚石车床车削成的、口径100mm的凸面非球面进行了检测，非球面的精度为0．8λ(PV值)，检测结果与车床的精度吻合很好。