单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

利用各种实验手段对M52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征.针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果,分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理.根据不同方向磁场干预相变应变的结果,计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2.45 MPa.从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两个方面,对单晶样品在[001]和[010]两个等价的晶体学方向上磁感生应变特性的差别,包括最大应变值、饱和场、滞后效应和起始磁场数值的参数,进行了分析和讨论.     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

酞菁锌参杂二氧化硅凝胶基质的光谱学特征

利用溶胶-凝胶技术将四磺化酞菁锌（ZnPcS4）成功地引入到了二氧化硅凝胶基质中，制备了均匀掺杂的有机/无机复合干凝胶。研究ZnPcS4分子在溶胶-凝胶过程中紫外-可见吸收光谱的变化规律以探索其在复合体系中的存在状态。实验表明，在溶胶阶段，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度增大，说明凝胶中酞菁单体的浓度增大；而形成凝胶后，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度减小，二聚体的吸收峰强度增大，说明由于体系结构和微化学环境的变化，酞菁分子趋向于聚合。     

新世纪初的法国数学课程简介

1　法国数学课程的概述1.1　学校和数学教学的组织法国的教学是全国统一组织 ,每门课的课时和学习大纲 (ｔｈｅｐｒｏｇｒａｍｍｅｏｆｓｔｕｄｉｅｓ)是统一制定的 ,从 6— 16岁 ,学生必须学习统一的课程 ,称为“分科前的基础课阶段” ,即“义务教育阶段” .学校体制分三部分 :小学 (6 11岁 ,1 5年级 ) ,初中 (11 15岁 ,5 9年级 ) ,高中 (15 18岁 ,10 12年级 ) .学生从 11年级开始分科 :文科 (Ｌ)、理科 (Ｓ)和经济社会 (ＥＳ)三个方向或者在职业高中分四个方向 :第三科学技术 (ＳＴＴ)、工业科学技术 (ＳＴＩ)、实验科学技术 (ＳＴＬ)…     

Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究

RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。     

扫描近场光学显微镜及其在生物微结构探测上的应用

扫描近场光学显微镜（ＳＮＯＭ）可探测生物体亚波长水平的光学特性，以接近分子水平的分辨率在生物微结构成象、探测和修饰等多方面有巨大的潜力。本文对ＳＮＯＭ的技术方法及其近期的的生物学应用进行了介绍。     

音频信号降比特技术与杜比编码：第三讲 环绕声与杜比AC—3编码技术

1 立体声的重放方式 与HDTV声音系统1.1 立体声的重放方式 立体声简单地说就是立体的声音重放的总称,现在一般所说的立体声多是指2通道立体声。这种方式的立体声重放系统只需左、右2个声音通道及相应的重放扬声器,     

一种新型的基于LP01模的双模色散补偿光纤

通过计算机模拟发现在可传输双模的三包层色散补偿光纤中如果抑制ＬＰ０２模，而仅传输ＬＰ０１模时能在一个较窄的带宽内产生大于数千ｐｓ／ｎｍ·ｋｍ的负色散，并且具有较大的模场直径、较小的弯曲损耗和偏振模色散，另外还具有较小的温度波长漂移以及同其它色散补偿光纤一样大小的损耗，是一种非常有前途的新型色散补偿光纤     

单腔并行双器件功率合成理论与实验研究

本文对一种毫米波单腔并行双器件功率合成器进行了理论和实验研究。分析并计算了矩形波导腔内两只并行振荡器件的外电路阻抗,给出了一些对设计、开发该功率合成器非常有用的数值结果。在36.0GHz频率附近,单腔并行双Gunn器件功率合成器的实验结果为:合成输出功率约400mW,合成效率高于95.5％,大于100mW输出的机械调谐带宽近1.5GHz。