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141.
用原位IR研究了CO在Co/SiO_2催化剂上的吸附,并考察了吸附的CO与H_2、H_2O的相互作用。CO在Co/SiO_2上的吸附显示出四种不同的吸收峰。2002、2027cm~(-1)归属于端基CO吸附;2120cm~(-1)归属于CO在钴离于上的吸附;1870cm~(-1)为CO的桥式吸附;1720cm~(-1)则为多中心吸附。当温度高于370K时,吸附的CO会完全脱附。H_2与吸附的CO相互作用可削弱CO吸收峰的强度,并逐步在低波数(1980cm~(-1))处产生一个小肩。水与吸附的CO相互作用产生一种甲酸基物种(1585、1390cm~(-1))。该物种被认为是Kòlbel-Engelhardt反应的中间体。 相似文献
142.
ATM技术及其研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简述了信息传输技术的发展历史;阐明了ATM 技术的概念并指出交换技术是ATM 技术的核心;介绍了目前ATM 技术的研究状况,着重介绍了几种具有代表性的ATM 交换系统;讨论了ATM 技术的另外两个组成部分——突发编码技术和流量控制技术。 相似文献
143.
144.
本文用多因子方差分析模型和多重比较分析了服装穿着时的主观热感觉与服装品种、环境条件、穿着者的活动状态与籍贯之间的关系。通过主成分回归建立了用生理指标预测主观热感觉的模型,从而得出一种定量地评价服装属性的方法。 相似文献
145.
146.
147.
利用倍频器,将重复频率与连续信号t(t)的频率相同的方波进行若干次倍频后,对连续信号进行抽样,从而获得离散的抽样信号fs(t),再利用有源低通滤波器使其复原成连续信号f(t)。避免了一般抽样器不便于观测的缺点。 相似文献
148.
本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程,并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。 相似文献
149.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
150.