氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5 V增加到2.2 V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30 V偏压3600 s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。     

燃气热值计量标准的尾气收集装置精度设计

针对基于燃烧法的燃气热值计量标准的尾气收集装置的缸体容积精确测量问题,应用现代仪器精度与误差理论,对该尾气收集装置的各项误差源进行分析,得到各分量的传递系数表达式,并按工程实际情况对精度指标进行了分配与调整;对分配的精度指标进行了合成计算,结果表明所设计的燃气热值计量尾气收集装置的最大允许误差为0.24％,完全满足尾气体积的测量精度要求;论文研究对建立我国新一代天然气热值计量标准有很好的指导意义和工程实用前景。     

BaTiO3基PTCR陶瓷材料的Sol-Gel制备方法的改进

正电阻-温度系数;溶胶-凝胶法;纳米粉体;BaTiO3基PTCR陶瓷材料的Sol-Gel制备方法的改进     

丝裂霉素在表面活性剂双水相中的分配规律

丝裂霉素;丝裂霉素在表面活性剂双水相中的分配规律     

非线性特征值问题正解的全局分歧

讨论非线笥特征值问题正解的全局分歧,即关于方程ｕ＝Ｆ（λ,ｕ）的分歧,其中ｕ限制在锥上,Ｆ（λ,．）按由锥诱导的序为正;给出了分歧存在的必要和充分条件及分歧枝的全局结构,并将所得到的结论应用到一个半线性椭圆型方程组中去。     

军械仓库布局调整决策模型

论述了军械仓库布局调整的依据,提出了将问题先分解为四类子问题再综合的思路,根据这一思路,建立了数学模型并探讨了求解过程。     

导电聚合物-半导体纳米颗粒自组装膜(Ⅱ)——光电化学性质

研究了层层自组装技术制备的导电聚合物SPAn/纳米硫化镉复合膜的电化学和光电化学性质。单层SPAn膜在0.1mol/L的LiClO₄/乙腈电解液中有弱的阴极光电流效应,为p型半导体;化学沉淀CdS膜为n型半导体。复合膜PSS/Q-CdS仅有阳极光电流效应,为CdS的n型半导体。自组装复合膜SPAn/Q-CdS有两种不同类型的光电响应,在阴极区(导电聚合物SPAn处于未掺杂状态)具有阴极光电流,在阳极区(SPAn处于导电状态)具有阳极光电流;导电聚合物的电化学状态对复合膜的光电化学性质有决定性作用。     

用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度

通过三点弯方法研究普通和微氮硅单晶在室温下的机械强度,以及它们的高温抗弯强度．实验发现,由于氮的掺入,硅片室温下的机械强度有明显的改善,同时证实了高温下氮对位错的钉扎作用;研究还指出,硅片表面状态和晶向对室温时机械强度也存在影响．对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨     

TiO2-活性白土复合光催化剂的合成与活性研究

采用溶胶法合成了TiO₂-活性白土复合光催化剂,借助XRD、XPS、SEM和UV-Vis等技术对其进行了表征,并以甲基橙为模型污染物考察了合成工艺对其光催化活性的影响规律。物相结构、扫描电镜和比表面积测试结果表明,部分纳米TiO₂粒子插入活性白土层间,使其层间距扩大,复合光催化剂因而具有较高的比表面积;紫外-可见吸收光谱分析表明,与纯纳米TiO₂相比,复合光催化剂在其吸收带内具有更强的吸收,且吸收边发生红移;光催化实验表明,当TiO₂理论负载量为66%、煅烧温度为400 ℃时,所得复合光催化剂对甲基橙的脱色及卷烟厂蒸叶废水的处理均具有较高的催化活性。     

基于迁移学习的原子力显微镜成像恢复方法

受限于探针针尖结构尺寸,用原子力显微镜进行微纳测量时会产生图像边缘失真.提出了一种基于迁移学习的原子力显微镜成像恢复方法,通过迁移学习训练源模型和靶模型实现一维栅格成像恢复.该方法采用数学形态法中的腐蚀算法生成栅格点云数据,通过U-Net网络源模型从点云中提取针尖卷积效应的特征向量,将权重参数迁移至U-Net网络靶模型,靶模型在自适应正则化方法下进行监督学习.实验结果表明,该方法能有效恢复一维栅格的原子力显微镜测量图像,提高横向分辨力,可用于纳米栅格的线宽检测上.