全文获取类型
| 收费全文 | 549篇 |
| 免费 | 63篇 |
| 国内免费 | 172篇 |
专业分类
| 化学 | 181篇 |
| 晶体学 | 2篇 |
| 力学 | 33篇 |
| 综合类 | 7篇 |
| 数学 | 73篇 |
| 物理学 | 171篇 |
| 无线电 | 317篇 |
出版年
| 2023年 | 9篇 |
| 2022年 | 10篇 |
| 2021年 | 7篇 |
| 2020年 | 7篇 |
| 2019年 | 7篇 |
| 2016年 | 8篇 |
| 2015年 | 12篇 |
| 2014年 | 10篇 |
| 2013年 | 8篇 |
| 2012年 | 15篇 |
| 2011年 | 21篇 |
| 2010年 | 22篇 |
| 2009年 | 17篇 |
| 2008年 | 19篇 |
| 2007年 | 10篇 |
| 2006年 | 12篇 |
| 2005年 | 11篇 |
| 2004年 | 15篇 |
| 2003年 | 16篇 |
| 2002年 | 23篇 |
| 2001年 | 24篇 |
| 2000年 | 9篇 |
| 1999年 | 7篇 |
| 1998年 | 19篇 |
| 1997年 | 18篇 |
| 1996年 | 10篇 |
| 1995年 | 21篇 |
| 1994年 | 20篇 |
| 1993年 | 21篇 |
| 1992年 | 27篇 |
| 1991年 | 21篇 |
| 1990年 | 26篇 |
| 1989年 | 29篇 |
| 1988年 | 16篇 |
| 1987年 | 9篇 |
| 1986年 | 24篇 |
| 1985年 | 18篇 |
| 1984年 | 12篇 |
| 1983年 | 14篇 |
| 1982年 | 9篇 |
| 1981年 | 10篇 |
| 1980年 | 12篇 |
| 1961年 | 15篇 |
| 1960年 | 8篇 |
| 1959年 | 6篇 |
| 1958年 | 11篇 |
| 1957年 | 11篇 |
| 1956年 | 18篇 |
| 1955年 | 17篇 |
| 1954年 | 17篇 |
排序方式： 共有784条查询结果，搜索用时 4 毫秒
781.
本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平均亮度达到4.5mcd/20mA,最高亮度达6.2mcd. 相似文献
782.
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。 相似文献
783.
今后有望取得很大进展的多媒体时代的电子机器寻求的是小型化、薄型化,同时能高速处理大量信息。 对于这一要求,半导体IC技术的进步肩负着重大的责任。同样,PWB的技术进步也很重要,现在正在寻求提高其特性。 对于这些需求,本公司开发了比过去更加高的耐热材料(R—4775、R—4785、R—1766T),高频用材料(R—4737、R—4726、R—4728)。现在又开发了新的高耐热,且具有 相似文献
784.
成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz. 相似文献