告诉你三种说话应对技巧

面对情绪激昂的对手,没有道理可讲。对于进人忘我境界的他们,最有效的方法是躲到旁边,巧妙地摆脱对方,而不是与其正面冲突。     

上网安全防护经典四问

PCShopper为服务读者特别开辟的“问与答”专栏自开办以来,深得广大读者的喜爱和支持,本期从读者来函中挑选了上网安全技巧方面的几个问题,以期通过汇总后的答疑解惑,给您一个安心、放心的网络环境。     

原子极化率计算中的核实极化效果

本文引入核实极化势考虑了价电子与核实电子之间的关联效应,从而对Hatree—Fork微扰方程进行了修正。应用此方法,我们计算了碱土原子Be到Ba以及稀土原子Yb的极化率.得到了与实验符合的结果。这些结果是6.07,11.14,24.02,30.54,45.32和30.15A(?)。其中,Yb的结果,是本文首次报告的。原子和分子的偶极极化率是一个重要的物理参量。它在原子碰撞中(尤其是低能碰撞)起决定性作用。它也是决定量子亏损,核屏蔽效应的重要物理参量。所以精确地计算原子的极化率是非常必要的。我们在耦合的Hatree-Fock微扰论的基础之上,引入核实极化这一物理效应,建立了一种较简捷而有效的引入关联的微扰方法,计算了Be、Mg Ca、Sr、Ba及Yb原子的偶极极化率,取得了与实验数据相符的结果。与其他作者的结果相比较,有显著的改进。其中,对原子Yb,我们首次报告了较精确的结果.     

水声目标辐射噪声的局部线性预测分析

从动力学的观点,对水声目标辐射噪声进行相空间的局部线性预测。计算了辐射噪声序列的平均预测误差与邻域大小的关系曲线,从曲线的类型可判断辐射噪声序列的线性性,并得到合适的预测函数类型及参数。文中对线谱和连续谱成分分别进行了局部预测。此外,还讨论了使预测误差最小的模型参数的选取。     

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．     

静电场与非共振脉冲激光电场共同作用下分子取向的机制

本分析了静电场与非共振的线偏振激光脉冲电场共同作用下分子取向的机制，发现如果激光脉冲足够宽，当激光光强确定后，脉冲的形状对分子取向起着决定性的作用。中进一步挖掘了这种现象背后分子取向的机制，得出了获得高效分子取向的必要条件，并建议将所得的结论应用于短脉冲下的‘postpulse orientation’。     

多孔硅的电致发光

９０年代安发展起来的发光多孔硅材料在发光的全色性，电致发光的效率以及稳定性等方面取得不少重要进展。介绍了几种多孔硅发光二极管结构及有关的电致发光机理，从共进展的速度以及目前已达量子效率＞１０＾－＾４的水平来看，其进入实际应用的前景是乐观的。