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211.
The Penning surface plasma source is adopted as the China Spallation Neutron Source (CSNS) H- ion source. The designed energy and beam current of the source are 50 keV and 20 mA, respectively, with a normalized root mean square (norm. rms.) emittance of 0.2 πmm·mrad. The construction of a H- ion source test stand has been completed, and the commissioning of the source is in progress. Stable H- ion beams with energy of 50 keV and current up to 50 mA are attained. Emittance measurement for the H- beam is being prepared. 相似文献
212.
文章就MT8980D时隙交换芯片做了简单的功能介绍,提出了一种ΔM下MT8980D的使用方法,最后重点介绍基于MT8980D的一个交换机软件的实现。 相似文献
213.
本文通过一个实际案例,论述了在处理电子产品的司法纠纷时进行技术鉴定的必要性和重要性。 相似文献
214.
令T(C^-(n,l,p)是双固定步网络环C^-(n,l,p)的生成树的数目,在本文中给出了关于T(C^-(n,1,2)),T(C^-(n,1,3)和T(C^-(n,1,4))的三种递推式,且一般情况,T(C^-(n,1,p)也可以按此思想考虑。 相似文献
215.
本文给出Kauffman代数的Gr?bner-Shirshov基,并且作为一个应用,还给出Kauffman代数的一组由Jones正规词组成的线性基. 相似文献
216.
将4-甲基苯硫酚、4-异丙基苯硫酚和4-甲氧基苯硫酚(RSH)分别与格氏试剂C2H5MgCl/THF(四氢呋喃)反应制得的苯硫酚氯化镁(RSMgCl)(分别标记为MBMC、IPBMC和MOBMC)/THF和进一步与Lewis酸AlCl3反应制得的(RSMgCl)n-AlCl3/THF(n=1,1.5,2)苯硫酚盐基溶液用作可充镁电池电解液,采用循环伏安和恒电流充放电测试研究了电解液的镁沉积-溶出性能和氧化分解电位.结果表明,苯硫酚上的基团种类和RSMgCl与AlCl3的比例对其电化学性能有影响.其中,0.5 mol·L-1(IPBMC)1.5-AlCl3/THF溶液具有最佳的电化学性能,其氧化分解电位适宜(2.4 V(vs Mg/Mg2+)),镁沉积-溶出循环效率稳定,过电位低,电导率较高(2.48 mS·cm-1),与正极材料Mo6S8兼容性良好,且具有一定的空气稳定性,配制方便,有希望应用于实际的可充镁电池体系中. 相似文献
217.
芯片测试中外接引线对电路频率特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
当测试集成电路的高频特性时,其外接测试引线形成的分布电容和电感常常会引起不必要的反馈和自激,增大集成电路的损耗和噪声,影响集成电路频率特性的测试结果。 相似文献
218.
我们已经用扫描穿透显微镜研究了单斜晶WO3的(001)的表面结构。凭借表面的WO2层的终止可以避免在WO3(001)的极性面上的静电不稳定性。支系由半个单层氧离子产生的一个√2X√2R45°的顶部氧排列而成。在一些倾斜区域,由WO6八面体的倾斜而产生沿「110」方向分离的长短交替的顶部O-O引出一个额外的周期。这样就产生了一个间隔大约c2mm的(2X2)的上层结构。由于氧离子的缺少,在氧化退火表面 相似文献
219.
220.