不饱和硼烯CH3OB的结构及其异构化反应的DFT研究

采用量子化学中的密度泛函方法, 在B3LYP/D95**理论水平上研究了不饱和硼烯CH3OB的结构及其异构化反应的机理. 结果表明, CH3OB的单线态结构比三线态结构稳定, 该分子的基态是单线态. 基态的单线态分子CH3OB可以发生2种不同的异构化反应, 生成CH3BO和CH2OBH. 本文找到了这2种异构化反应的过渡态, 并在此基础上采用IRC方法详细研究了这2种异构化反应的途径.     

一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器

基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽。采用SiC衬底0.15μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14～34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100%。研制的MMIC LNA面积为1.71 mm²,功耗为1.05 W。     

醛基不饱和卡宾存在寿命的理论研究

采用量子化学中的的从头计算方法，在B3LYP/6-31G^**水平上研究了醛基不饱和卡宾HCO-CH=C：重排成醛基乙炔的反应机理。全优化得到了HCO-CH=C：的两种稳定构型以及对应的过渡态和产物的构型，并计算得到了各种构型的振动频率。在振动频率计算结果的基础上，采用过渡态理论计算了活化能最小的重排反应的的动力学性质，然后根据得到的反应速率常数，计算了不同温度下HCO-CH=C：的半衰期。结果表明，HCO-CH=C：的半衰期很短，室温下只有10^-13s左右。这对深入了解HCO-CH=C：的性质及其存在在寿命提供了有用的信息。     

砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究

砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试...